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公开(公告)号:CN110915197B
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN201880047019.8
申请日:2018-07-13
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H04N5/357 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本技术涉及一种半导体设备和一种电子装置,由此可以抑制信号中噪声的产生。该半导体设备具有:第一半导体基板,其中,形成第一导体回路的至少一部分;以及第二半导体基板,其包括第一导体层和第二导体层,每个导体层具有导体,所述第一导体层和第二导体层形成第二导体回路。第一导体层和第二导体层被配置为使得从第二导体回路产生磁通量的回路平面的方向和第一导体回路产生电动势的回路平面的方向彼此不同。本技术可以应用于例如CMOS图像传感器。
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公开(公告)号:CN111919300B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN201980019721.8
申请日:2019-03-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/60 , H04N25/70 , H05K1/02
Abstract: 本技术涉及能够更有效抑制噪声信号产生的电路板、半导体器件和电子设备。该电路板设置有:第一导体层,包括至少第一导体部分,第一导体部分包括具有在同一平面中重复平面或网格状的第一基本图案的形状的导体;以及第二导体层,包括至少第二导体部分和第三导体部分,第二导体部分包括具有在同一平面中重复平面或网格状的第二基本图案的形状的导体,第三导体部分包括具有在同一平面中重复平面、线性或网格状的第三基本图案的形状的导体。第一基本图案的重复周期和第二基本图案的重复周期基本上是相同的周期,并且第三基本图案被配置为具有与第二基本图案的形状不同的形状。例如,本技术可以应用于半导体器件的电路板。
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公开(公告)号:CN110915197A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201880047019.8
申请日:2018-07-13
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H04N5/357 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本技术涉及一种半导体设备和一种电子装置,由此可以抑制信号中噪声的产生。该半导体设备具有:第一半导体基板,其中,形成第一导体回路的至少一部分;以及第二半导体基板,其包括第一导体层和第二导体层,每个导体层具有导体,所述第一导体层和第二导体层形成第二导体回路。第一导体层和第二导体层被配置为使得从第二导体回路产生磁通量的回路平面的方向和第一导体回路产生电动势的回路平面的方向彼此不同。本技术可以应用于例如CMOS图像传感器。
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公开(公告)号:CN111919300A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN201980019721.8
申请日:2019-03-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/369 , H05K1/02
Abstract: 本技术涉及能够更有效抑制噪声信号产生的电路板、半导体器件和电子设备。该电路板设置有:第一导体层,包括至少第一导体部分,第一导体部分包括具有在同一平面中重复平面或网格状的第一基本图案的形状的导体;以及第二导体层,包括至少第二导体部分和第三导体部分,第二导体部分包括具有在同一平面中重复平面或网格状的第二基本图案的形状的导体,第三导体部分包括具有在同一平面中重复平面、线性或网格状的第三基本图案的形状的导体。第一基本图案的重复周期和第二基本图案的重复周期基本上是相同的周期,并且第三基本图案被配置为具有与第二基本图案的形状不同的形状。例如,本技术可以应用于半导体器件的电路板。
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