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公开(公告)号：CN102465093A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110359959.0
申请日：2011-11-14
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: B01L7/52 , B01L3/5027 , B01L2200/147 , B01L2300/0654 , B01L2300/0829 , B01L2300/0887
Abstract: 本文公开了一种反应处理装置与反应处理方法，该反应处理装置包括温度控制部，该温度控制部包括：第一温度控制部，布置在反应区域组的外周边缘部位处；以及平面型第二温度控制部。其中，该第一温度控制部和该第二温度控制部彼此相对地布置，反应区域组位于其间。
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公开(公告)号：CN103127973A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210475969.5
申请日：2012-11-21
Applicant: 索尼公司
Inventor： 小岛健介
IPC: B01L3/00
CPC classification number: G01N21/6486 , B01L3/502715 , B01L7/52 , B01L2300/0654 , B01L2300/0816 , B01L2300/0858 , B01L2300/0864 , B01L2300/0883 , B01L2300/1827 , B01L2300/1883 , B01L2400/0406 , B01L2400/0487 , G01N21/6452 , Y10T156/10 , Y10T156/1043
Abstract: 本发明涉及一种微芯片及其制造方法，该微芯片包括：多个基板，配置为充当反应的反应场的反应区，以及在反应区的外周部分上的外周路径，外周路径的内部处于对大气压的负压，其中，外周路径被设置在贴合在一起的基板中的至少一个的至少一侧上。
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公开(公告)号：CN102327785A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110151181.4
申请日：2011-06-07
Applicant: 索尼公司
Inventor： 小岛健介
CPC classification number: B01L3/502 , B01L3/502715 , B01L2200/027 , B01L2200/0642 , B01L2200/082 , B01L2200/10 , B01L2300/044 , B01L2300/0816 , B01L2300/0854 , B01L2300/088 , B01L2400/049
Abstract: 本发明公开了样品液供应容器、样品液供应容器组件和微芯片组件。该样品液供应容器包括：第一区域，其内部被减压，并被气密地密封；第二区域，其内部能够容纳液体；第一穿透部，中空针通过其从外部刺入第一区域的内部；以及第二穿透部，插入第一穿透部并到达第一区域内的中空针通过其刺入第二区域的内部。
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公开(公告)号：CN104303062A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025770.5
申请日：2013-03-13
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: B01L3/5027 , B01L3/502707 , B01L2200/0642 , B01L2300/0816 , B01L2300/0864 , B01L2300/0883 , B01L2300/0887 , B01L2300/123 , G01N2035/00158
Abstract: 本发明的目的是提供能够从微芯片的外部容易地确认溶液被填充至分析区域中的微芯片。提供了一种微芯片，该微芯片具有：液体引入部；分析区域，用作其中对包含于液体中的物质或物质的反应产物进行分析的位置；显示区域，用于指示分析区域已完全被液体充满；以及通道，用于连接引入部、分析区域和显示区域。该通道被配置为使得从引入部引入的液体到达指示区域占用的时间的量长于从引入部引入的液体填充分析区域占用的时间的量。
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公开(公告)号：CN101887934A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010173323.2
申请日：2010-05-06
Applicant: 索尼公司
Inventor： 小岛健介
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管的制造方法包括以下步骤：在基板上依次生长第一覆盖层、有源层以及第二覆盖层；将第一覆盖层、有源层以及第二覆盖层图案化为特定的平面形状，并使得有源层的外围部分的至少一部分突出至第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个的外部。
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公开(公告)号：CN103842086A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280048235.7
申请日：2012-10-04
Applicant: 索尼公司
IPC: B01L3/02
CPC classification number: G01N35/10 , B01L3/021 , B01L3/022 , B01L3/5027 , B01L2200/027
Abstract: 提供了一种液体注入导引件。所述液体注入导引件包括导引件结构，所述导引件结构包括被适配为协作卡合以将通道定位在导引件结构内的多个部件，其中导引件结构被适配为装置至开口，通道被适配为通过所述开口收纳为从导引件结构中暴露出通道。还提供了导引装置、微芯片壳体及微芯片装置。
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公开(公告)号：CN102703309A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110312670.3
申请日：2011-10-14
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G01N21/6428 , G01N21/6452
Abstract: 本发明公开了核酸扩增反应设备、方法及用于核酸扩增反应设备的基板，该核酸扩增反应设备包括：反应区域，被构造为用作核酸扩增反应的反应场；照射单元，被构造为用于将光照射到反应区域；以及光检测单元，被构造为用于检测反射光的量，其中，设置有用于将由于照射单元的光照射而在反应区域内产生的侧光反射并将光导向光检测单元的反射部件。
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公开(公告)号：CN102296023A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110161010.X
申请日：2011-06-15
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: C12Q1/6848 , C12Q2547/107 , C12Q2549/101 , C12Q2565/629
Abstract: 本发明涉及用于核酸等温扩增反应的微芯片、制造其的方法以及核酸等温扩增反应方法。更具体地，本发明提供一种用于核酸等温扩增反应的微芯片，其中对于核酸的等温扩增反应所需的物质中的至少一种存在于充当该反应的反应场所的反应区中，该物质中的至少一种利用在高于室温且低于该反应的反应温度的温度下发生熔化的薄膜覆盖。本发明提供了一种用于在等温扩增方法中准确控制反应时间的技术。
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公开(公告)号：CN103074203A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210397930.6
申请日：2012-10-18
Applicant: 索尼公司
IPC: C12M1/00
CPC classification number: B01L7/52 , B01L2200/12 , B01L2200/16 , B01L2300/0829 , B01L2300/0851 , B01L2300/0864 , B01L2300/0887 , B01L2300/161 , C12Q1/6844 , C12Q2563/159 , C12Q2565/629
Abstract: 本发明提供了用于核酸扩增反应的微芯片及其制造方法，该微芯片包括：井，被配置作为核酸扩增反应的反应场所，并且具有中心部分和边缘部分；物质，以少数位于井的中心部分而多数位于井的边缘部分离心形状固定，其中该物质是用于核酸扩增反应的至少一部分物质。
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公开(公告)号：CN101887934B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010173323.2
申请日：2010-05-06
Applicant: 索尼公司
Inventor： 小岛健介
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管的制造方法包括以下步骤：在基板上依次生长第一覆盖层、有源层以及第二覆盖层；将第一覆盖层、有源层以及第二覆盖层图案化为特定的平面形状，并使得有源层的外围部分的至少一部分突出至第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个的外部。
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