公开(公告)号：CN109922966A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780069104.X

申请日：2017-09-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 浅冈聪子 ,  竹内太一 ,  栗原研一 ,  大石雄纪 ,  贝野由利子 ,  首藤绫 ,  平井畅一 ,  高桥功 ,  梶尾祐介 ,  手岛飞鸟 ,  和田胜

IPC: B41J2/475 ,  B41M5/28 ,  B41M5/323 ,  B41M5/46 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开的绘图装置设置有：照射单元，在第一时段中，将第一光照射到通过使用预定光可视地记录图像的记录对象的第一记录区域，并且在第一时段之后的第二时段中，将作为预定光的第二光照射到第二记录区域，该第二记录区域与第一记录区域相同或包含在第一记录区域中；和控制单元，控制发光单元的操作。

公开(公告)号：CN109789714B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201780059046.2

申请日：2017-09-13

Applicant: 索尼公司

Inventor： 梶尾祐介 ,  高桥功 ,  大石雄纪 ,  和田胜 ,  栗原研一 ,  竹内太一 ,  浅冈聪子 ,  手岛飞鸟 ,  平井畅一 ,  贝野由利子 ,  首藤绫

IPC: B41J29/38 ,  B41J2/475 ,  B41J5/30 ,  B41M5/28 ,  G06F3/12

Abstract: 根据本公开的记录设备设置有：写入单元，将根据时间并且被可见地记录在记录介质中的细目表信息从第一细目表信息重写成第二细目表信息；和生成单元，基于时间生成第二细目表信息。

公开(公告)号：CN109922966B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201780069104.X

申请日：2017-09-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 浅冈聪子 ,  竹内太一 ,  栗原研一 ,  大石雄纪 ,  贝野由利子 ,  首藤绫 ,  平井畅一 ,  高桥功 ,  梶尾祐介 ,  手岛飞鸟 ,  和田胜

IPC: B41J2/475 ,  B41M5/28 ,  B41M5/323 ,  B41M5/46 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开的绘图装置设置有：照射单元，在第一时段中，将第一光照射到通过使用预定光可视地记录图像的记录对象的第一记录区域，并且在第一时段之后的第二时段中，将作为预定光的第二光照射到第二记录区域，该第二记录区域与第一记录区域相同或包含在第一记录区域中；和控制单元，控制发光单元的操作。

公开(公告)号：CN109789714A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059046.2

申请日：2017-09-13

Applicant: 索尼公司

Inventor： 梶尾祐介 ,  高桥功 ,  大石雄纪 ,  和田胜 ,  栗原研一 ,  竹内太一 ,  浅冈聪子 ,  手岛飞鸟 ,  平井畅一 ,  贝野由利子 ,  首藤绫

IPC: B41J29/38 ,  B41J2/475 ,  B41J5/30 ,  B41M5/28 ,  G06F3/12

Abstract: 根据本公开的记录设备设置有：写入单元，将根据时间并且被可见地记录在记录介质中的细目表信息从第一细目表信息重写成第二细目表信息；和生成单元，基于时间生成第二细目表信息。

公开(公告)号：CN85109319A

公开(公告)日：1986-09-10

申请号：CN85109319

申请日：1985-11-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 和田胜 ,  加藤洋二

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/38

CPC classification number: H01L21/2233 ,  H01L21/0332

Abstract: 用于将诸如锌一类的杂质选择扩散进到诸如砷化镓(GaAs)一类的化合物半导体基片的方法。该方法是这样使用扩散掩模的：即，使在扩散掩模和半导体基片之间的界面处的含氧层的厚度小于20，从而可以抑制往往发生在半导体表面上扩散掩模开口附近界面的异常的横向扩散，因此增加了杂质扩散图形的精度。