公开(公告)号：CN100336224C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN01121986.6

申请日：1995-07-25

Applicant: 精工电子工业株式会社

Inventor： 宇都宫文靖 ,  齐藤丰 ,  齐藤直人 ,  小山内润 ,  小西春男 ,  宫城雅记

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0214 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明的目的是提供一种电压提升电路，其中的多个以二极管方式连接的MOSFET是串联连接的，并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET的节点上。并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET MO至Mn的阈值Vth Mo至VthMn和电容元件C1至Cn的容量(C1至Ccn，或者通过为作为输入到信号提升电路的输入信号的时钟信号φ和φ*的波形高度值的电压提升电路形成一种结构为具有电压提升电路的电子装置提供高效率和低成本的半导体集成电路器件。

公开(公告)号：CN1365149A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01121986.6

申请日：1995-07-25

Applicant: 精工电子工业株式会社

Inventor： 宇都宫文靖 ,  齐藤丰 ,  齐藤直人 ,  小山内润 ,  小西春男 ,  宫城雅记

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0214 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明的目的是提供一种电压提升电路,其中的多个以二极管方式连接的MOSFET是串联连接的,并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET的节点上。并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET M0至Mn的阈值Vth Mo至VthMn和电容元件C1至Cn的容量(C1至Ccn,或者通过为作为输入到信号提升电路的输入信号的时钟信号φ和φ*的波形高度值的电压提升电路形成一种结构为具有电压提升电路的电子装置提供高效率和低成本的半导体集成电路器件。

公开(公告)号：CN1082725C

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN95115248.3

申请日：1995-07-25

Applicant: 精工电子工业株式会社

Inventor： 宇都宫文靖 ,  齐藤丰 ,  齐藤直人 ,  小山内润 ,  小西春男 ,  宫城雅记

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/0214 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明的目的是提供一种电压提升电路，其中的多个以二极管方式连接的MOSFET是串联连接的，并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET的节点上。并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET M0至Mn的阈值Vth Mo至VthMn和电容元件C1至Cn的容量(C1至Ccn，或者通过为作为输入到信号提升电路的输入信号的时钟信号φ和φ*的波形高度值的电压提升电路形成一种结构为具有电压提升电路的电子装置提供高效率和低成本的半导体集成电路器件。

公开(公告)号：CN1127936A

公开(公告)日：1996-07-31

申请号：CN95115248.3

申请日：1995-07-25

Applicant: 精工电子工业株式会社

Inventor： 宇都宫文靖 ,  齐藤丰 ,  齐藤直人 ,  小山内润 ,  小西春男 ,  宫城雅记

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/0214 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明的目的是提供一种电压提升电路，其中的多个以二极管方式连接的MOSFET是串联连接的，并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET的节点上。并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET Mo至Mn的阈值Vth Mo至Vth Mn和电容元件C1至Cn的容量(C1至Ccn，或者通过为作为输入到信号提升电路的输入信号的时钟信号ф和ф*的波形高度值的电压提升电路形成一种结构为具有电压提升电路的电子装置提供高效率和低成本的半导体集成电路器件。