公开(公告)号：CN1149636C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN95109198.0

申请日：1995-06-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 岩村直行 ,  森义明 ,  宫下武 ,  宫川拓也 ,  汤田坂一夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069

Abstract: 为使加工或检验晶片或基底的步骤更合理并提高半导体装置或液晶面板的生产效率，在该晶片或基底被传送经过的通路中的一个位置上设置用于在常压或接近常压的压力下在预定的放电气体中产生气体放电的单元，该晶片的表面被暴露于由气体放电发生单元所产生的放电气体的激发和活化形态之下，适当地选择所述放电气体的类型，按在线方式完成对所述晶片的表面处理，例如抛光、清洗和提供亲水性。

公开(公告)号：CN1118934A

公开(公告)日：1996-03-20

申请号：CN95109198.0

申请日：1995-06-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 岩村直行 ,  森义明 ,  宫下武 ,  宫川拓也 ,  汤田坂一夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069

Abstract: 为使加工或检验晶片或基底的步骤更合理并提高半导体装置或液晶面板的生产效率，在该晶片或基底被传送经过的通路中的一个位置上设置用于在常压或接近常压的压力下在预定的放电气体中产生气体放电的单元，使该晶片的表面被暴露于由气体放电发生单元所产生的放电气体的激发和活化形态之下，适当地选择所述放电气体的类型，按在线方式完成对所述晶片的表面处理，例如抛光、清洗和提供亲水性。