公开(公告)号：CN1577893A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069084.0

申请日：2004-07-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出慎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供截止电流降低到非常低的水平并且具有优异的可靠性从而可以适用于超高精细显示装置的像素驱动元件和周边电路等的薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的有源矩阵基板以及显示装置。具有在基板主体(10a)上设置的半导体层(42)、栅电极(32)、漏电极(17)和源电极(16)，半导体层(42)具有与漏电极(17)连接的以高浓度扩散杂质的高浓度漏极区域(1e)、设置在上述高浓度漏极区域(1e)的栅电极(32)侧的以低浓度扩散杂质的低浓度漏极区域(1c)、设置在上述低浓度漏极区域(1c)的栅电极(32)侧的以微量浓度扩散杂质的区域或做成本征半导体区域的补偿区域(1a2)。

公开(公告)号：CN1550826B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410031077.1

申请日：2004-04-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出慎 ,  伊藤友幸 ,  腰原健 ,  北川笃史

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供能够极力地把薄膜晶体管的漏电流抑制为低水平，能够容易地与像素的超高清晰对向应的液晶装置以及具备了该液晶装置的电子设备，本发明的液晶装置把TFT30做成具备了由多晶硅膜构成的半导体层42，在多个位置与上述半导体层42交叉的多个栅电极32～34的P型晶体管，同时，在上述半导体层42的各个沟道区1a的两侧部分具有形成了低浓度掺杂区1b、1c的LDD构造，在上述薄膜晶体管的厚度方向两侧具备遮光单元(遮光膜15，数据线分支部分6c)。

公开(公告)号：CN1550826A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410031077.1

申请日：2004-04-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出慎 ,  伊藤友幸 ,  腰原健 ,  北川笃史

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供能够极力地把薄膜晶体管的漏电流抑制为低水平，能够容易地与像素的超高清晰对向应的液晶装置以及具备了该液晶装置的电子设备，本发明的液晶装置把TFT30做成具备了由多晶硅膜构成的半导体层42，在多个位置与上述半导体层42交叉的多个栅电极32～34的P型晶体管，同时，在上述半导体层42的各个沟道区1a的两侧部分具有形成了低浓度掺杂区1b、1c的LDD构造，在上述薄膜晶体管的厚度方向两侧具备遮光单元(遮光膜15，数据线分支部分6c)。