公开(公告)号：CN100388497C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510064346.9

申请日：2005-04-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 沢崎立雄 ,  黑川贤一 ,  田川辉男 ,  土屋健一

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明公开了金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法、以及半导体装置。本发明的金属薄膜是具有设置于给定基体上方的面心立方型结晶结构的金属薄膜，所述薄膜(111)面优先定向，并且在其表面呈现出不与所述基体表面平行的(100)面，所述金属薄膜的表面的算术平均粗糙度(Ra)大于等于1.5nm、并小于等于5nm。此外，在本发明的金属薄膜中，具有所述面心立方型结晶结构的金属包括从Pt、Ir及Ru的组中选出的至少一个。

公开(公告)号：CN1684260A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064346.9

申请日：2005-04-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 沢崎立雄 ,  黑川贤一 ,  田川辉男 ,  土屋健一

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明公开了金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法、以及半导体装置。本发明的金属薄膜是具有设置于给定基体上方的面心立方型结晶结构的金属薄膜，所述薄膜(111)面优先定向，并且在其表面呈现出不与所述基体表面平行的(100)面。此外，在本发明的金属薄膜中，具有所述面心立方型结晶结构的金属包括从Pt、Ir及Ru的组中选出的至少一个。