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公开(公告)号：CN1434337A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03100710.4
申请日：2003-01-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 二村徹
IPC: G02F1/136 , G02F1/1345 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/133565 , G02F2201/48
Abstract: 提供借助预先使凹凸形成层的下层侧的状态均一化，在利用光刻技术形成凹凸形成层时，凹凸形状上不会产生不均一的反射式电光装置和电子设备。在反射式电光装置的TFT阵列基板(10)中，用来把凹凸图形赋予在光反射膜(8a)上的凹凸形成层(13a)，采用对感光性树脂(13)进行半曝光、显影和加热的办法形成。由于在凹凸形成层(13a)的下层侧，高低差、台阶已借助高低差消除膜(3f)被消除，故可以适当地对感光性树脂(13)进行曝光。另外，由于高低差已消除，感光性树脂(13)的厚度不均一度小，故凹凸形状的不均一度也较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118523167A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410182905.9
申请日：2024-02-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 光子晶体的制造方法和发光装置的制造方法，能够制造能够展现稳定的光封闭效果的光子晶体。光子晶体的制造方法包含以下工序：形成第1层；在所述第1层形成第1孔和第2孔；在所述第1孔和所述第2孔晶体生长出第2层，在所述第1孔形成折射率比所述第1层低的第1低折射率部，在所述第2孔形成折射率比所述第1层低的第2低折射率部，在形成所述第1孔和所述第2孔的工序中，以所述第1孔的直径大于所述第2孔的直径的方式形成所述第1孔和所述第2孔，在形成所述第1低折射率部和所述第2低折射率部的工序中，以所述第1孔的直径与所述第1低折射率部的直径之差大于所述第2孔的直径与所述第2低折射率部的直径之差的方式晶体生长出所述第2层。
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公开(公告)号：CN1497313A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03154491.6
申请日：2003-09-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133553 , H01L27/12 , H01L27/1214
Abstract: 提供防止因接触孔引起的光的干涉，进而可以防止来自光反射膜的反射光的干涉的有源矩阵型电光装置及使用该有源矩阵型电光装置的电子仪器。在反射型有源矩阵型电光装置的TFT阵列基板中，在形成为矩阵状的各像素100a的每个中，在接触孔5d内也形成光反射膜8a，通过将像素电极9a与漏极6b电气连接的接触孔5d的位置及下层侧凹凸形成膜13a使在反射膜8a的表面形成的光散射用的凹凸图案8g在各像素中不同。
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公开(公告)号：CN1266534C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN03154491.6
申请日：2003-09-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133553 , H01L27/12 , H01L27/1214
Abstract: 提供防止因接触孔引起的光的干涉，进而可以防止来自光反射膜的反射光的干涉的有源矩阵型电光装置及使用该有源矩阵型电光装置的电子仪器。在反射型有源矩阵型电光装置的TFT阵列基板中，在形成为矩阵状的各像素(100a)的每个中，在接触孔(5d)内也形成光反射膜(8a)，通过将像素电极(9a)与漏极(6b)电气连接的接触孔(5d)的位置及下层侧凹凸形成膜(13a)使在反射膜(8a)的表面形成的光散射用的凹凸图案(8g)在各像素中不同。
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公开(公告)号：CN1231803C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN03100710.4
申请日：2003-01-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 二村徹
IPC: G02F1/136 , G02F1/1345 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/133565 , G02F2201/48
Abstract: 提供借助预先使凹凸形成层的下层侧的状态均一化，在利用光刻技术形成凹凸形成层时，凹凸形状上不会产生不均一的反射式电光装置和电子设备。在反射式电光装置的TFT阵列基板(10)中，用来把凹凸图形赋予在光反射膜(8a)上的凹凸形成层(13a)，采用对感光性树脂(13)进行半曝光、显影和加热的办法形成。由于在凹凸形成层(13a)的下层侧，高低差、台阶已借助高低差消除膜(3f)被消除，故可以适当地对感光性树脂(13)进行曝光。另外，由于高低差已消除，感光性树脂(13)的厚度不均一度小，故凹凸形状的不均一度也较小。
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公开(公告)号：CN2685924Y
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN03236344.3
申请日：2003-01-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 二村徹
IPC: G02F1/136 , H01L21/3205 , G03F7/00 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/133565 , G02F2201/48
Abstract: 提供借助预先使凹凸形成层的下层侧的状态均一化，在利用光刻技术形成凹凸形成层时，凹凸形状上不会产生不均一的反射式电光装置和电子设备。在反射式电光装置的TFT阵列基板(10)中，用来把凹凸图形赋予在光反射膜(8a)上的凹凸形成层(13a)，采用对感光性树脂(13)进行半曝光、显影和加热的办法形成。由于在凹凸形成层(13a)的下层侧，高低差、台阶已借助高低差消除膜(3f)被消除，故可以适当地对感光性树脂(13)进行曝光。另外，由于高低差已消除，感光性树脂(13)的厚度不均一度小，故凹凸形状的不均一度也较小。
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