公开(公告)号：CN103794599B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310499135.2

申请日：2013-10-22

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 小山威 ,  广濑嘉胤

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/41758 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/0251 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置。本发明提供ESD耐量高的半导体装置。第一过孔（16）用于使焊盘（22）与ESD保护电路的NMOS晶体管的漏极电连接。在焊盘（22）下方，仅在矩形环状的中间层金属膜（17）的一边和与该一边相对的另一边设置有该第一过孔（16）。即，用于与漏极电连接的所有第一过孔（16）大致存在于焊盘（22）的正下方。由此，对焊盘（22）施加的ESD的浪涌电流容易均匀地流向全部漏极。这样，ESD保护电路的NMOS晶体管的各个沟道容易统一地进行动作，半导体装置的ESD耐量变高。

公开(公告)号：CN107154413A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710119570.6

申请日：2017-03-02

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 小山威

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L27/1462

Abstract: 具有受光元件的半导体装置，遮挡了不需要的光。在P型半导体衬底(11)的上表面形成多个光电二极管(51)，在光电二极管(51)的表面隔着埋入氧化膜(12)设置绝缘氧化膜(31)，在光电二极管与相邻的光电二极管之间隔着埋入氧化膜(12)设置SOI层(13)，从而对倾斜入射等的不需要的光进行遮光。

公开(公告)号：CN105895647A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610085689.1

申请日：2016-02-15

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 小山威

IPC: H01L27/146

Abstract: 为了提供减少余像的具有受光元件的光检测半导体装置，以受光元件端部到载流子取出用电极为止的距离成为相等的方式，将利用PN结的光电二极管以圆形配置，能进行从全方位的同样的载流子的取出。

公开(公告)号：CN103839925B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310592417.7

申请日：2013-11-22

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 小山威 ,  广赖嘉胤

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/0274 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，提供ESD耐受量高的半导体装置。第一通路(16)是用于从焊盘到ESD保护电路的NMOS晶体管的漏极的电连接的部分。该第一通路(16)设于漏极正上方，大体存在于焊盘的正下方。因此，施加于焊盘的ESD的浪涌电流变得易于均等地去向全部漏极。于是，ESD保护电路的NMOS晶体管的各沟道变得容易均等地动作，半导体装置的ESD耐受量变高。