公开(公告)号：CN114207795A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055907.1

申请日：2020-08-06

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： A·梁 ,  M·普利哈尔 ,  S·帕拉马西万 ,  N·拉克希米纳拉辛汉 ,  S·巴格瓦特

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N21/95 ,  G01N23/2251

摘要： 为了评估半导体制造过程，获得包含被分组成调制组的裸片的半导体晶片。每一调制组使用相异过程参数制造。光学检验所述晶片以识别缺陷。训练扰乱点过滤器以将所述缺陷分类为DOI或扰乱点缺陷。基于所述训练的结果，确定所述晶片的第一初步工艺窗且识别在包围所述第一工艺窗的调制组的第一群组中的具有DOI的裸片结构。将所述经训练扰乱点过滤器应用到所述经识别缺陷以确定所述晶片的第二经修正工艺窗。基于所述第二经修正工艺窗内的一或多个调制组中的经指定关照区域的SEM图像确定所述晶片的第三进一步经修正工艺窗。产生指定所述第三工艺窗的报告。

公开(公告)号：CN114207795B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202080055907.1

申请日：2020-08-06

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： A·梁 ,  M·普利哈尔 ,  S·帕拉马西万 ,  N·拉克希米纳拉辛汉 ,  S·巴格瓦特

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N21/95 ,  G01N23/2251

摘要： 为了评估半导体制造过程，获得包含被分组成调制组的裸片的半导体晶片。每一调制组使用相异过程参数制造。光学检验所述晶片以识别缺陷。训练扰乱点过滤器以将所述缺陷分类为DOI或扰乱点缺陷。基于所述训练的结果，确定所述晶片的第一初步工艺窗且识别在包围所述第一工艺窗的调制组的第一群组中的具有DOI的裸片结构。将所述经训练扰乱点过滤器应用到所述经识别缺陷以确定所述晶片的第二经修正工艺窗。基于所述第二经修正工艺窗内的一或多个调制组中的经指定关照区域的SEM图像确定所述晶片的第三进一步经修正工艺窗。产生指定所述第三工艺窗的报告。