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公开(公告)号：CN113169089A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079468.5
申请日：2019-12-12
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 使用主要光学模式扫描一或多个半导体晶片或其部分以识别缺陷。使用电子显微镜选择并检视多个所述经识别缺陷，包含第一类别的缺陷及第二类别的缺陷。基于此检视，将所述多个缺陷的相应缺陷分类为所述第一类别或所述第二类别的缺陷。使用多个辅助光学模式使所述多个所述经识别缺陷成像。基于使用所述主要光学模式的所述扫描及使用所述多个辅助光学模式的所述成像的结果，选择用于结合所述主要光学模式使用的所述辅助光学模式中的一或多者。使用所述主要光学模式及所述一或多个所选择的辅助光学模式针对缺陷扫描生产半导体晶片。
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公开(公告)号：CN115552431A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180031109.X
申请日：2021-04-27
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 提供用于确定样本的信息的方法及系统。本文中所描述的实施例经配置以训练用于从由检验子系统产生的样本的图像产生所述样本的较高分辨率图像的机器学习(ML)模型。所述训练包含仅使用模拟图像执行的预训练步骤及使用测试样本的实际图像执行的重新训练步骤。由所述经训练ML模型从较低分辨率检验图像中产生的所述较高分辨率图像可用于包含扰乱点过滤及缺陷分类在内的应用。
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公开(公告)号：CN113169089B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980079468.5
申请日：2019-12-12
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 使用主要光学模式扫描一或多个半导体晶片或其部分以识别缺陷。使用电子显微镜选择并检视多个所述经识别缺陷，包含第一类别的缺陷及第二类别的缺陷。基于此检视，将所述多个缺陷的相应缺陷分类为所述第一类别或所述第二类别的缺陷。使用多个辅助光学模式使所述多个所述经识别缺陷成像。基于使用所述主要光学模式的所述扫描及使用所述多个辅助光学模式的所述成像的结果，选择用于结合所述主要光学模式使用的所述辅助光学模式中的一或多者。使用所述主要光学模式及所述一或多个所选择的辅助光学模式针对缺陷扫描生产半导体晶片。
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