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公开(公告)号:CN103703536B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201280036744.8
申请日:2012-06-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor: 哈什亚·沙德曼 , 罗伯特·G·海恩斯 , 克里斯多夫·M·西尔斯 , 迈赫兰·纳赛尔-古德西
CPC classification number: H01J37/141 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G21K1/093 , H01J37/14 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/2817
Abstract: 所揭示的一个实施例涉及一种设备,其包含电磁体,所述电磁体经布置以在区中提供大规模磁场。所述设备进一步包含使用穿过磁性材料的孔阵列在所述区中形成的多个电子束柱的阵列。另一实施例涉及一种产生电子束阵列的方法。使用至少两个磁极在区中产生大规模磁场。使用柱阵列产生电子束阵列,所述柱阵列是使用穿过定位于所述区中的磁性材料的孔形成的。还揭示其它实施例、方面和特征。
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公开(公告)号:CN103703536A
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201280036744.8
申请日:2012-06-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor: 哈什亚·沙德曼 , 罗伯特·G·海恩斯 , 克里斯多夫·M·西尔斯 , 迈赫兰·纳赛尔-古德西
CPC classification number: H01J37/141 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G21K1/093 , H01J37/14 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/2817
Abstract: 所揭示的一个实施例涉及一种设备,其包含电磁体,所述电磁体经布置以在区中提供大规模磁场。所述设备进一步包含使用穿过磁性材料的孔阵列在所述区中形成的多个电子束柱的阵列。另一实施例涉及一种产生电子束阵列的方法。使用至少两个磁极在区中产生大规模磁场。使用柱阵列产生电子束阵列,所述柱阵列是使用穿过定位于所述区中的磁性材料的孔形成的。还揭示其它实施例、方面和特征。
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