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公开(公告)号：CN113889310A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111054357.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；R：29.0～31.5wt％；B：0.87‑0.91wt％；所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料中的重量百分比；余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异：非晶界扩散品Br≥14.50kGs，Hcj≥15kOe，晶界扩散品：Br≥14.50kGs，Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。
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公开(公告)号：CN112908601A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110075964.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑Fe‑B系烧结磁体，所述R‑Fe‑B系烧结磁体是由R‑Fe‑B系烧结坯体经HR晶界扩散处理得到，坯体至少包括28wt％‑33wt％的R，所述R为包括Nd的至少一种稀土元素，0.83wt％‑0.96wt％的B，0.3wt％‑1.2wt％的M；所述晶界扩散方向与磁化方向垂直，沿扩散方向，与扩散面距离不超过500μm内的任意两点的HR含量的比值为0.1‑1.0。本发明还公开了一种晶界扩散处理方法，使扩散源沿垂直于c轴方向进行晶界扩散，局部退磁得到有效控制，扩散效果得到增强，制造工序简化，消除变形因素，材料利用率大幅提升。
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公开(公告)号：CN110323053A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810292458.7
申请日：2018-03-30
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-Fe-B系烧结磁体的制备方法及R-Fe-B系烧结磁体，其包括R-Fe-B系合金粉末和添加粉末，所述R为稀土元素，并包括Nd和至少一种高丰度稀土，所述高丰度稀土选自Y、La或Ce中的至少一种，所述添加粉末选自重稀土氧化物粉末、重稀土氢化物粉末、重稀土氟氧化物粉末或重稀土氟化物粉末中的至少一种，将均匀混合的所述R-Fe-B系合金粉末和所述添加粉末成形后，以940℃-1000℃的温度在真空或惰性气氛中烧结，制得R-Fe-B系烧结磁体。该方法和该烧结磁铁在添加少量重稀土化合物的情况下，可大幅提高高丰度稀土磁体的內禀矫顽力。
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公开(公告)号：CN114496541A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210050181.3
申请日：2022-01-17
Applicant: 中南大学 , 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种扩散源，包括稀土卤化物和碱金属卤化物；在温度为700℃‑850℃的条件下，所述扩散源的液相比例为10％～40％。本发明采用稀土卤化物‑碱金属卤化物的熔盐体系作为扩散源材料，可在晶界扩散过程中形成稳定的定量液相的高效扩散源，液固复合物相保障了磁体上下表面扩散源均匀且良好的附着作用，重稀土元素沿磁体晶界由表层向内部扩散渗透，对磁体内易反磁化区域进行精准磁硬化，且由于晶界扩散温度较低，重稀土原子向主相晶粒内部的过度扩散得到有效抑制，在不牺牲材料剩磁的前提下，磁体矫顽力得到大幅提升。本发明还公开了一种高性能R‑T‑B永磁材料，及其扩散方法。
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公开(公告)号：CN112908672A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110074831.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑Fe‑B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，包括R‑Fe‑B烧结坯体、以及含HR和M的扩散源；所述R‑Fe‑B烧结坯体具有磁化方向及若干表面，与磁化方向垂直的表面为取向面，除取向面外的表面为非取向面；向所述R‑Fe‑B烧结坯体的至少一个非取向面施加所述扩散源，使得HR沿所述R‑Fe‑B烧结坯体垂直于磁化方向进行晶界扩散，之后热处理制得所述R‑Fe‑B系烧结磁体；所述扩散源中，M的含量为2wt％以上且30wt％以下。该方法制得的烧结磁体不受坯体基体成分和各向异性材料不同方向晶界扩散效果限制，便于加工，消除变形因素，尺寸精确可控，材料利用率大幅提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223628A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010121788.7
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，原料包含如下组分：R：28～33wt％；R为稀土元素，包括熔炼用R1和晶界扩散用R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、且不含RH；R2包括Tb；B：0.9～1.5wt％；Cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；M：0.35wt％以下、且不为0wt％；M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Fe：60～70.55wt％；RH为重稀土元素；Co：＜0.5wt％、且不为0wt％。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN111223624A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010121425.3
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该原料组合物包括R：28～33％；R为稀土元素，R包括R1和R2，R1为熔炼时添加的稀土元素，所述R1包括Nd和Dy；所述R2为晶界扩散时添加的稀土元素，R2包括Tb，R2的含量为0.2～1％；Co：＜0.5％但不为0；M：≤0.4％但不为0，M的种类包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf和Ag中的一种或多种；Cu：≤0.15％但不为0；B：0.9～1.1％；Fe：60～70％；百分比为各组分质量占原料组合物总质量百分比。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN117174423A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311367302.8
申请日：2023-10-21
Applicant: 福州大学 , 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种脉冲电场作用下低温晶界扩散提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的制备方法。本发明的制备方法为：首先制备RaMb（a+b=100,wt%）合金作为晶界扩散合金，其熔点＜500℃，R为Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho中的一种或几种，M为Ga、Sn、In、Bi中的一种或几种；然后将烧结钕铁硼磁体包埋入RaMb合金颗粒中，在氩气保护下加热至RaMb合金颗粒熔化，并在脉冲电场作用下进行扩散，最后将扩散后的磁体进行时效处理。本发明可以有效提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力，而且具有扩散温度低、扩散效率高、生产周期短、重稀土元素利用率高等优点。
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公开(公告)号：CN114496541B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210050181.3
申请日：2022-01-17
Applicant: 中南大学 , 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种扩散源，包括稀土卤化物和碱金属卤化物；在温度为700℃‑850℃的条件下，所述扩散源的液相比例为10％～40％。本发明采用稀土卤化物‑碱金属卤化物的熔盐体系作为扩散源材料，可在晶界扩散过程中形成稳定的定量液相的高效扩散源，液固复合物相保障了磁体上下表面扩散源均匀且良好的附着作用，重稀土元素沿磁体晶界由表层向内部扩散渗透，对磁体内易反磁化区域进行精准磁硬化，且由于晶界扩散温度较低，重稀土原子向主相晶粒内部的过度扩散得到有效抑制，在不牺牲材料剩磁的前提下，磁体矫顽力得到大幅提升。本发明还公开了一种高性能R‑T‑B永磁材料，及其扩散方法。
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公开(公告)号：CN111223628B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010121788.7
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，原料包含如下组分：R：28～33wt％；R为稀土元素，包括熔炼用R1和晶界扩散用R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、且不含RH；R2包括Tb；B：0.9～1.5wt％；Cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；M：0.35wt％以下、且不为0wt％；M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Fe：60～70.55wt％；RH为重稀土元素；Co：＜0.5wt％、且不为0wt％。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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