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公开(公告)号：CN117174423A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311367302.8
申请日：2023-10-21
Applicant: 福州大学 , 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种脉冲电场作用下低温晶界扩散提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的制备方法。本发明的制备方法为：首先制备RaMb（a+b=100,wt%）合金作为晶界扩散合金，其熔点＜500℃，R为Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho中的一种或几种，M为Ga、Sn、In、Bi中的一种或几种；然后将烧结钕铁硼磁体包埋入RaMb合金颗粒中，在氩气保护下加热至RaMb合金颗粒熔化，并在脉冲电场作用下进行扩散，最后将扩散后的磁体进行时效处理。本发明可以有效提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力，而且具有扩散温度低、扩散效率高、生产周期短、重稀土元素利用率高等优点。
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公开(公告)号：CN117012488A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210494036.4
申请日：2022-04-29
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法、应用、电机。本发明的钕铁硼磁体材料包括位于晶界相的非晶态富RE相，非晶态富RE相的元素的组成及其原子比为TM:RE:Cu:Ga＝(15～30)：(40～60):(10～25):(10～30)；非晶态富RE相占晶界相的体积比为3～8％；其中，TM为Fe和Co，RE为稀土元素。本发明的钕铁硼磁体材料可在不使用或重稀土元素的前提下提升矫顽力，同时保持较高的剩磁和磁能积。
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公开(公告)号：CN117012487A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210476515.3
申请日：2022-04-29
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法、应用。本发明的钕铁硼磁体材料包括位于晶间三角区的纳米晶富Cu相，纳米晶富Cu相的元素组成及其原子比为TM:RE:Cu:Ga＝(1～20)：(20～55):(25～70):(1～15)，纳米晶富Cu相与晶间三角区的体积比为4～12％，其中TM包括Fe和/或Co，RE为稀土元素。本发明的钕铁硼磁体材料可以在不使用或少使用重稀土的情况下提高内禀矫顽力，降低成本，同时保持较高的剩磁、磁能积和方形度性能。
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公开(公告)号：CN117012486A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210475096.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法、应用。以重量百分比计，该钕铁硼磁体材料包括以下组分：R：28.00‑32.00wt.％，所述R为稀土元素；Al：0.00‑1.00wt.％；Cu：0.12‑0.50wt.％；B：0.85‑1.10wt.％；余量为Fe，wt.％是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；所述钕铁硼磁体材料的晶间三角区中具有FCC型晶体结构的Nd‑O相的体积与所述钕铁硼磁体材料的晶界相的体积比在20％以内。本发明通过减少具有FCC型晶体结构的Nd‑O相的比例，增强了晶界相的去磁耦合能力并提高了磁体内禀矫顽力的一致性。
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公开(公告)号：CN117004858A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210476766.1
申请日：2022-04-30
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F9/02 , B22F9/04 , H01F1/057 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种重稀土合金、钕铁硼材料及其制造方法、应用。以重量百分比计，该重稀土合金包括下述组分：35.00wt.％≤TRE≤50.00wt.％，所述TRE中，HRE≥35.00wt.％；Fe≤50.00wt.％；5.00wt.％≤M1≤50.00wt.％，M1为Co、Cu、Ga、Al、Zr和Ti中的两种或多种，其中：“Cu、Ga和Al”之和≥3.00wt.％，“Zr和Ti”之和≥3.00wt.％；0.30wt.％≤B≤0.60wt.％。本发明中的钕铁硼材料在使用较少的重稀土的基础上，能够制备出高Br和高Hcj的钕铁硼磁体材料，有效改善了钕铁硼磁体材料的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112359247B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011279283.X
申请日：2020-11-16
Applicant: 福州大学 , 福建紫金铜业有限公司 , 龙岩学院
Abstract: 本发明公开了一种Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料及其制备方法。该铜合金材料由Cu与0.75~1.15wt%的Hf、0.06~0.18wt%的Si、0.08~0.12wt%的Ni、0.05~0.10wt%的Ce组成。其制备方法包括合脉冲电场熔铸、均匀化处理、热轧制、室温轧制、时效处理的步骤。本发明所得铜合金材料成分中不含有毒元素，制备过程中也不产生有毒物质，对人体和环境危害小，所制得的铜合金材料硬度、强度、导电率和抗软化等综合性能优异，可以用来研制和生产高性能电子设备及各种电子元件、器件、仪器、仪表等。
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公开(公告)号：CN112359246B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011279252.4
申请日：2020-11-16
Applicant: 福州大学 , 福建紫金铜业有限公司 , 龙岩学院
Abstract: 本发明公开了一种Cu‑Ti‑P‑Ni‑Er铜合金材料及其制备方法。该铜合金材料由Cu与0.80~1.55 wt%的Ti、0.20~0.49 wt%的P、0.10~0.30 wt%的Ni、0.02~0.10 wt%的Er组成，其制备方法包括合金熔铸、均匀化处理、热轧制、固溶处理、深冷处理、一次室温轧制、一次时效处理、回归处理、二次时效处理、二次室温轧制、三次时效处理等的步骤。本发明所得铜合金材料成分中不含有毒元素，对人体和环境危害小，所制得的铜合金材料硬度、强度、导电率和抗软化等综合性能优良，可应用于航空、航天、电力，电子行业等高新科技领域。
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公开(公告)号：CN112359246A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011279252.4
申请日：2020-11-16
Applicant: 福州大学 , 福建紫金铜业有限公司 , 龙岩学院
Abstract: 本发明公开了一种Cu‑Ti‑P‑Ni‑Er铜合金材料及其制备方法。该铜合金材料由Cu与0.80~1.55 wt%的Ti、0.20~0.49 wt%的P、0.10~0.30 wt%的Ni、0.02~0.10 wt%的Er组成，其制备方法包括合金熔铸、均匀化处理、热轧制、固溶处理、深冷处理、一次室温轧制、一次时效处理、回归处理、二次时效处理、二次室温轧制、三次时效处理等的步骤。本发明所得铜合金材料成分中不含有毒元素，对人体和环境危害小，所制得的铜合金材料硬度、强度、导电率和抗软化等综合性能优良，可应用于航空、航天、电力，电子行业等高新科技领域。
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公开(公告)号：CN110885937A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911320746.X
申请日：2019-12-19
Applicant: 福州大学 , 福建紫金铜业有限公司 , 龙岩学院
Abstract: 本发明公开了一种Cu-Ti-Ge-Ni-X铜合金材料及其制备方法。该铜合金材料由Cu与0.77~1.28 wt%的Ti、2.15~3.22 wt%的Ge、0.1~0.3 wt%的Ni、0.02~0.1 wt%的X（X为C与稀土元素La、Y、Ce中的一种或几种组成的混合物）组成，其制备方法包括合金熔铸、均匀化处理、热轧制、室温轧制、回归处理、时效处理的步骤。本发明所得铜合金材料成分中不含有毒元素，对人体和环境危害小，工艺简单，生产周期短，所制得的铜合金材料硬度、强度、电导率和抗软化等综合性能优良，可用于制作各种电路用接触器、引线框架、连接器等。
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公开(公告)号：CN108914184A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810859403.X
申请日：2018-08-01
Applicant: 福州大学 , 福州市闽川科技有限公司
CPC classification number: C25D11/08 , C25D3/00 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/06
Abstract: 本发明公开了一种低能耗的铝合金微弧氧化膜层制备方法，制备过程包括前处理、阳极氧化处理、电解沉积和微弧氧化处理四部分。前处理即是对铝合金进行打磨、抛光、清洗、碱蚀、酸洗、清洗并吹干。前处理后的样品，再经过直流阳极氧化和交流电解沉积，形成带有纳米金属颗粒的阳极氧化膜，最后将样品在含有高锰酸钾添加剂的电解液中进行微弧氧化处理，可以在铝合金样品表面制备出厚度均匀、硬度高、具有优良耐蚀性的微弧氧化膜层。本方法不仅可以改善微弧氧化膜层性能，而且能够有效地提升微弧氧化膜层的生长速率，降低微弧氧化过程中所消耗的能量，降低单位能耗。此外，本方法采用的电解液成分简单，配制方便，对人体和环境危害小。
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