公开(公告)号：CN112885417B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202110085034.5

申请日：2021-01-21

申请人： 福建师范大学

发明人： 谭小地 ,  陈宇昕 ,  吴天敏

IPC分类号： G16C60/00 ,  G11B7/241

摘要： 本发明公开一种GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法和全息光盘，GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料各组分原料重量比：MMA：100wt％，AIBN：1wt％，PQ：1.3wt％，NMP：3wt％，GO：0.0015wt％；其制备成本较低，具备良好的偏振选择性和偏振敏感度，且所制备材料厚度精准可控但光致收缩却可忽略不计；该新型光致聚合物材料具有优异衍射效率和折射率调制度，适合作为全息成像及数据存储领域应用中所需的核心记录材料，可显著提升信息存储容量，在同轴偏光全息信息存储中具有广阔的应用前景；此外，该材料良好的光学特性使其在传统体全息记录领域也颇具应用潜力。

公开(公告)号：CN112885417A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110085034.5

申请日：2021-01-21

申请人： 福建师范大学

发明人： 谭小地 ,  陈宇昕 ,  吴天敏

IPC分类号： G16C60/00 ,  G11B7/241

摘要： 本发明公开一种GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法和全息光盘，所述GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料，其各组分原料的重量比为：MMA：100wt％，AIBN：0.7‑1wt％，PQ：1‑1.3wt％，GO：0.0005‑0.002wt％；其制备成本较低，具备良好的偏振选择性和偏振敏感度，且所制备材料厚度精准可控但光致收缩却可忽略不计；该新型光致聚合物材料具有优异衍射效率和折射率调制度，适合作为全息成像及数据存储领域应用中所需的核心记录材料，可显著提升信息存储容量，在同轴偏光全息信息存储中具有广阔的应用前景。此外，该材料良好的光学特性使其在传统体全息记录领域也颇具应用潜力。