公开(公告)号：CN113213948A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110598966.X

申请日：2021-05-31

Applicant: 福建工程学院

Inventor： 沈强 ,  林智杰 ,  曾一明 ,  高炜恒 ,  戴品强 ,  常发

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/80 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开一种多级结构氮化硅陶瓷材料制备方法，包括如下步骤：S1，制备氮化硅陶瓷浆料；S2，将浆料滤掉研磨球后放入真空混料机中去除浆料中的气体；S3，将浆料倒入点胶容器中，将点胶容器放入已加热并存在氮气环境的竖直点胶打印设备中；S4，以固定速率移动点胶容器，并保持浆料以固定流量持续流出至加热烘干打印板上；S5，重复执行步骤S4形成与上一柱状氮化硅生坯柱等高的柱状氮化硅生坯柱，直至形成一张竖直的氮化硅生坯带；S6，紧贴上一氮化硅陶瓷生坯带的底部制得与上一张尺寸相等且附着在其上的生坯带；S7，对氮化硅生坯进行预烧，再进行真空热压烧结。多层复合烧结形成氮化硅基板，具有工艺简单，容易量产的优势。

公开(公告)号：CN113441719B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202110699225.0

申请日：2021-06-23

Applicant: 福建工程学院

Inventor： 林智杰 ,  高炜恒 ,  戴品强 ,  王金龙

IPC: B22F3/14 ,  B22F9/16 ,  C22C5/06 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05 ,  C22C1/059 ,  H01H1/02

Abstract: 本发明公开一种多主元金属氧化物增强的电触头材料及其制备方法，包括如下步骤：S1，称取高熵氧化物粉末和银粉末；S2，将高熵氧化物粉末和银粉末进行混合，制备银基高熵氧化物复合粉体；S3，将银基高熵氧化物复合粉体转置于石墨模具中，进行热压烧结得到银‑高熵氧化物复合材料；S4，将银‑高熵氧化物复合材料置于箱式炉中，进行退火，温度降至室温时，制得成品银‑多主元金属氧化物复合电触头材料。本发明与现有常用的电触头第二相相比较，具有以下有优势：没有用到镉元素，避免了环境污染的问题；利用多主元金属氧化物在电弧作用下的固态相变吸热起到抗电弧侵蚀作用；相变产物为高熵氧化物，具有很好的稳定性，可以继续弥散强化电触头。

公开(公告)号：CN113441719A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110699225.0

申请日：2021-06-23

Applicant: 福建工程学院

Inventor： 林智杰 ,  高炜恒 ,  戴品强 ,  王金龙

IPC: B22F3/14 ,  B22F9/16 ,  C22C5/06 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05 ,  H01H1/02

Abstract: 本发明公开一种多主元金属氧化物增强的电触头材料及其制备方法，包括如下步骤：S1，称取高熵氧化物粉末和银粉末；S2，将高熵氧化物粉末和银粉末进行混合，制备银基高熵氧化物复合粉体；S3，将银基高熵氧化物复合粉体转置于石墨模具中，进行热压烧结得到银‑高熵氧化物复合材料；S4，将银‑高熵氧化物复合材料置于箱式炉中，进行退火，温度降至室温时，制得成品银‑多主元金属氧化物复合电触头材料。本发明与现有常用的电触头第二相相比较，具有以下有优势：没有用到镉元素，避免了环境污染的问题；利用多主元金属氧化物在电弧作用下的固态相变吸热起到抗电弧侵蚀作用；相变产物为高熵氧化物，具有很好的稳定性，可以继续弥散强化电触头。