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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113387335B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110843491.6
申请日：2021-07-26
Applicant: 福建工程学院
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一系列多层高熵结构化合物及其制备方法。所述的多层高熵结构化合物为一系列的过渡金属层状化合物，分子式表达为(HEMB)x(HEMA)X2，HEM为高熵金属元素组合，由四种或四种以上金属元素组成，HEMA、HEMB分别为两组高熵元素，x为HEMB高熵金属元素的插层量，元素总量为x，0＜x≤1，X为S、Se、Te元素中的一种或多种的组合。本发明在本就是在MX2层状结构的M位由高熵金属元素组合HEMA替换的基础上，在层与层之间再引入一层高熵金属原子HEMB，同时可对其插层量进行调控，得到具有多层高熵结构的一系列化合物，该系列材料在能源转换、能源存储等应用领域具有巨大潜力。本发明多层高熵的结构设计理念为人们探索新高熵化合物提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN113416863A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110710558.9
申请日：2021-06-25
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明公开了一种熔盐法制备MAX相金属陶瓷材料的方法。本发明首先将MAX相的M位金属元素、A位主族元素和X位C/N元素按元素比例配比，在真空条件下进行预反应烧结，再将预反应烧结后的产物与NaCl或KCl等单种盐或混合盐混合研磨，再经高温真空烧结得到目标产物。本发明中所使用的熔盐法对于MAX相金属陶瓷的制备具有以下优点：提高物相纯度，降低反应温度，增大反应物间的接触面积，加速反应进行，本发明为Mn+1AnX的高纯物相制备提供了新思路，为该系列化合物的本征物性研究提供了有力的保证。
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公开(公告)号：CN113184924A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110678681.7
申请日：2021-06-18
Applicant: 福建工程学院
IPC: C01G53/00
Abstract: 本发明公开了一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法，所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)xMX2，其中HEM为元素周期表中的任意四种或四种以上金属元素的组合，元素总量为x，，M为过渡族金属元素，X为S、Se、Te元素中的一种。本发明采用固相插层法合成了一系列的过渡族金属层状化合物(HEM)xMX2，即在MX2层与层之间引入一层高熵原子层，可以对其插层量进行调控，从而得到不同的晶体结构，该系列材料在新能源等应用领域具有巨大潜力，本发明的制备方法简易，反应周期短，成本低，可以获得高纯度的产物。
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公开(公告)号：CN113387335A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110843491.6
申请日：2021-07-26
Applicant: 福建工程学院
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一系列多层高熵结构化合物及其制备方法。所述的多层高熵结构化合物为一系列的过渡金属层状化合物，分子式表达为(HEMB)x(HEMA)X2，HEM为高熵金属元素组合，由四种或四种以上金属元素组成，HEMA、HEMB分别为两组高熵元素，x为HEMB高熵金属元素的插层量，元素总量为x，0＜x≤1，X为S、Se、Te元素中的一种或多种的组合。本发明在本就是在MX2层状结构的M位由高熵金属元素组合HEMA替换的基础上，在层与层之间再引入一层高熵金属原子HEMB，同时可对其插层量进行调控，得到具有多层高熵结构的一系列化合物，该系列材料在能源转换、能源存储等应用领域具有巨大潜力。本发明多层高熵的结构设计理念为人们探索新高熵化合物提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN113184924B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110678681.7
申请日：2021-06-18
Applicant: 福建工程学院
IPC: C01G53/00
Abstract: 本发明公开了一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法，所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)xMX2，其中HEM为元素周期表中的任意四种或四种以上金属元素的组合，元素总量为x，，M为过渡族金属元素，X为S、Se、Te元素中的一种。本发明采用固相插层法合成了一系列的过渡族金属层状化合物(HEM)xMX2，即在MX2层与层之间引入一层高熵原子层，可以对其插层量进行调控，从而得到不同的晶体结构，该系列材料在新能源等应用领域具有巨大潜力，本发明的制备方法简易，反应周期短，成本低，可以获得高纯度的产物。
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