一种红光LED芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN113644169B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202110931119.0

    申请日:2021-08-13

    摘要: 本发明公开了一种红光LED芯片及其制造方法,在芯片的氧化铝衬底上生长氮化镓外延片,衬底具备绝缘性;发光部分为GaN,其工作电压与蓝绿光的工作电压一致,便于红光LED与蓝绿光LED组合使用时进行电路设计;按照预设角度对外延缓冲层和外延片进行刻蚀,得到氮化镓聚焦层,在衬底侧壁制备黑化层,能够减少侧面漏光比例,并且通过氮化镓聚焦层能够使蓝光聚焦,从而减少蓝光发射到侧壁黑化层的比例,提高出光效率;将红光转换物质涂覆在黑化层外以及衬底远离外延片的一端,能够将蓝光转换为红光,从而得到红光LED芯片,提高了红光LED的整体性能,且便于红光LED与蓝绿光LED组合使用。

    一种提高出光角度的Mini LED及其制造方法

    公开(公告)号:CN115050875A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210651175.3

    申请日:2022-06-09

    摘要: 本发明公开了一种提高出光角度的Mini LED及其制造方法,在衬底上依次制备氮化镓外延层、电流扩展层、金属接触层、绝缘保护层和反射镜层,并在衬底远离氮化镓外延层的一面制备功能膜,且功能膜在光入射角为25~34.5°时,所述功能膜的最小反射率低于5%。因为功能膜在25~34.5°的反射率低,从而芯片中满足该入射角的光会有较高的透过率,而其余角度的光被反射回芯片内部,被衬底改变入射角,直到满足25~34.5°才可以逃离,经过这个过程不断的发生,正面发光在大角度的亮度将被提升,最终提高Mini LED发光角度;并且相较于现有技术不需要通过刻蚀提高出光角度,能够保证制备Mini LED的出光角度一致性,拥有更高的亮度,更适用于量产。

    一种红光LED芯片及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113644169A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202110931119.0

    申请日:2021-08-13

    摘要: 本发明公开了一种红光LED芯片及其制造方法,在芯片的氧化铝衬底上生长氮化镓外延片,衬底具备绝缘性;发光部分为GaN,其工作电压与蓝绿光的工作电压一致,便于红光LED与蓝绿光LED组合使用时进行电路设计;按照预设角度对外延缓冲层和外延片进行刻蚀,得到氮化镓聚焦层,在衬底侧壁制备黑化层,能够减少侧面漏光比例,并且通过氮化镓聚焦层能够使蓝光聚焦,从而减少蓝光发射到侧壁黑化层的比例,提高出光效率;将红光转换物质涂覆在黑化层外以及衬底远离外延片的一端,能够将蓝光转换为红光,从而得到红光LED芯片,提高了红光LED的整体性能,且便于红光LED与蓝绿光LED组合使用。

    一种提高出光角度的Mini LED及其制造方法

    公开(公告)号:CN115050875B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202210651175.3

    申请日:2022-06-09

    摘要: 本发明公开了一种提高出光角度的Mini LED及其制造方法,在衬底上依次制备氮化镓外延层、电流扩展层、金属接触层、绝缘保护层和反射镜层,并在衬底远离氮化镓外延层的一面制备功能膜,且功能膜在光入射角为25~34.5°时,所述功能膜的最小反射率低于5%。因为功能膜在25~34.5°的反射率低,从而芯片中满足该入射角的光会有较高的透过率,而其余角度的光被反射回芯片内部,被衬底改变入射角,直到满足25~34.5°才可以逃离,经过这个过程不断的发生,正面发光在大角度的亮度将被提升,最终提高Mini LED发光角度;并且相较于现有技术不需要通过刻蚀提高出光角度,能够保证制备Mini LED的出光角度一致性,拥有更高的亮度,更适用于量产。

    一种Micro LED光投射芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN114937731B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202210473461.5

    申请日:2022-04-29

    摘要: 本发明公开了一种Micro LED光投射芯片及其制造方法,在晶圆的衬底远离金属电极的一面按照预设阵列图形基于衬底制作一体式透镜,使得芯片能够集成透镜,而不需要使用外加的透镜或者光学组件;并且切割晶圆能够得到集成式芯片,通过集成式芯片上的多个子像素能够得到高集成度、高像素密度和小体积的芯片;芯片上的每一个像素与驱动基底相对应,便于通过驱动设计实现分辨率可调以及像素自由分区的效果。

    一种Micro LED光投射芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN114937731A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210473461.5

    申请日:2022-04-29

    摘要: 本发明公开了一种Micro LED光投射芯片及其制造方法,在晶圆的衬底远离金属电极的一面按照预设阵列图形基于衬底制作一体式透镜,使得芯片能够集成透镜,而不需要使用外加的透镜或者光学组件;并且切割晶圆能够得到集成式芯片,通过集成式芯片上的多个子像素能够得到高集成度、高像素密度和小体积的芯片;芯片上的每一个像素与驱动基底相对应,便于通过驱动设计实现分辨率可调以及像素自由分区的效果。

    一种背光型Mini LED芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN113644058B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202110919850.1

    申请日:2021-08-11

    摘要: 本发明公开了一种背光型Mini LED芯片及其制造方法,根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个芯片的背光反射层上光刻与预设排列方式形状对应的光栅,能够控制Mini LED芯片的光型,并且芯片的光栅形状与芯片预设排列方式对应,能够增加芯片分区,相当于增加芯片的排列密度,保证目视分辨率体验增大,增加人眼感知分辨度,从而提高芯片显示效果;通过调整光栅的宽度改变芯片垂直出光与侧出光的比例,从而调整芯片的出光角度和出光强度,进一步提高Mini LED芯片的控制效果和显示效果。

    一种背光型Mini LED芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN113644058A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202110919850.1

    申请日:2021-08-11

    摘要: 本发明公开了一种背光型Mini LED芯片及其制造方法,根据Mini LED芯片的预设排列方式在每一个芯片的背光反射层上光刻与预设排列方式形状对应的光栅,能够控制Mini LED芯片的光型,并且芯片的光栅形状与芯片预设排列方式对应,能够增加芯片分区,相当于增加芯片的排列密度,保证目视分辨率体验增大,增加人眼感知分辨度,从而提高芯片显示效果;通过调整光栅的宽度改变芯片垂直出光与侧出光的比例,从而调整芯片的出光角度和出光强度,进一步提高Mini LED芯片的控制效果和显示效果。