公开(公告)号：CN107147322A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710493546.9

申请日：2017-06-26

Applicant: 福州大学 ,  厦门科华恒盛股份有限公司

Inventor： 蔡逢煌 ,  林建业 ,  王武 ,  林琼斌 ,  柴琴琴

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/539 ,  G06F19/00

CPC classification number: H02M7/5387 ,  G06F19/00 ,  H02M7/539

Abstract: 本发明涉及一种双Buck全桥逆变器迭代学习控制方法。针对逆变器在直流电源波动、死区效应、稳态时线性和非线性负载电流扰动产生的周期性扰动问题，提出了电压外环迭代学习控制，电流内环无差拍控制的双环控制策略，通过周期迭代消除谐波扰动的影响，理论上可实现跟踪误差收敛到零，使系统输出电压能精确跟踪参考信号，大幅度提高跟踪精度；电流内环无差拍控制，由于电流比电压有更快的响应速度，系统的些许变化都会第一时间在电流上有所表现，起到增强系统稳定性和提高动态响应性能，且采用新型器件SiC MOSFET，提高了双Buck逆变器的输出效率。本发明方法可确保双Buck全桥逆变器有较好的负载适应能力和优越的跟踪性能。

公开(公告)号：CN206977325U

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201720745755.3

申请日：2017-06-26

Applicant: 福州大学 ,  厦门科华恒盛股份有限公司

Inventor： 蔡逢煌 ,  林建业 ,  王武 ,  林琼斌 ,  柴琴琴

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/539 ,  G06F19/00

CPC classification number: Y02B70/1483

Abstract: 本实用新型涉及一种基于SiC MOSFET的双Buck全桥逆变器。包括双Buck全桥逆变器单元、用于控制所述双Buck全桥逆变器单元以消除其周期性扰动的控制单元；所述双Buck全桥逆变器单元包括直流电压Ud，电容C，电阻R，二极管D1、D2、D3、D4，开关管S1、S2、S3、S4，其中，开关管S1、S2、S3、S4均为基于SiC MOSFET管；所述控制单元的输出端分别与开关管S1、S2、S3、S4的控制端连接。本实用新型通过控制单元采用电压外环迭代学习控制+电流内环无差拍控制的双环控制策略不仅保留了双Buck全桥逆变器无桥臂直通问题，提高双Buck逆变器的输出效率，电压利用率高，且解决了直流电源波动、死区效应、稳态时线性和非线性负载电流扰动引起的周期性扰动问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN107147322B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201710493546.9

申请日：2017-06-26

Applicant: 福州大学 ,  科华恒盛股份有限公司

Inventor： 蔡逢煌 ,  林建业 ,  王武 ,  林琼斌 ,  柴琴琴

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/539

Abstract: 本发明涉及一种双Buck全桥逆变器迭代学习控制方法。针对逆变器在直流电源波动、死区效应、稳态时线性和非线性负载电流扰动产生的周期性扰动问题，提出了电压外环迭代学习控制，电流内环无差拍控制的双环控制策略，通过周期迭代消除谐波扰动的影响，理论上可实现跟踪误差收敛到零，使系统输出电压能精确跟踪参考信号，大幅度提高跟踪精度；电流内环无差拍控制，由于电流比电压有更快的响应速度，系统的些许变化都会第一时间在电流上有所表现，起到增强系统稳定性和提高动态响应性能，且采用新型器件SiC MOSFET，提高了双Buck逆变器的输出效率。本发明方法可确保双Buck全桥逆变器有较好的负载适应能力和优越的跟踪性能。