公开(公告)号：CN112881773B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110065501.8

申请日：2021-01-18

申请人： 福州大学

发明人： 俞金玲 ,  陈神忠 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC分类号： G01R15/24 ,  G01R19/00

摘要： 本发明涉及一种测量拓扑绝缘体Bi2Te3中拉莫进动引起的磁致光电流的方法。该方法是对三维拓扑绝缘体Bi2Te3施加一个平面内沿x方向的磁场，用1064nm的激光垂直照射（沿z方向）在样品上两电极连线的中点上，激发产生磁致光电流。通过转动四分之一波片获得不同偏振状态下的光电流，然后通过公式拟合得到圆偏振光激发由拉莫进动引起的磁致光电流。其原理为，圆偏振光激发产生垂直方向的自旋极化Sz，x方向的磁场使得拓扑绝缘体中产生的自旋极化Sz产生拉莫进动，从而产生y方向的自旋极化Sy。这个方向的自旋极化将会引起x方向流动的电荷流，即由拉莫进动引起的圆偏振磁致电流。

公开(公告)号：CN116519142A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310726604.3

申请日：2023-06-19

申请人： 福州大学

发明人： 俞金玲 ,  陈神忠 ,  程树英

IPC分类号： G01J4/04 ,  G01N21/21 ,  G01N1/28

摘要： 本发明涉及一种用三维拓扑绝缘体薄膜进行偏振探测的方法。该方法通过用三维拓扑绝缘体(Bi0.8Sb0.2)2Te3薄膜作为偏振探测器件，通过转动探测器件获得不同激光入射角下的光电流，然后通过对比多次测试下计算测得光电流与参考光电流的比值，唯一确定所探测激光的偏振状态。其原理为，通过转动四分之一波片可获得不同偏振状态下的光电流，接着用通过公式拟合可获得圆偏振光和线偏振光的光电流参考值，通过对比相反入射角下测得的光电流与参考光电流的比值确定唯一相同的偏振状态，且可通过背栅电压调节探测器件的性能兼顾圆偏振状态和线偏振状态的探测，以确定探测到的激光的偏振状态，计算得出斯托克斯参数。

公开(公告)号：CN112881773A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110065501.8

申请日：2021-01-18

申请人： 福州大学

发明人： 俞金玲 ,  陈神忠 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC分类号： G01R15/24 ,  G01R19/00

摘要： 本发明涉及一种测量拓扑绝缘体Bi2Te3中拉莫进动引起的磁致光电流的方法。该方法是对三维拓扑绝缘体Bi2Te3施加一个平面内沿x方向的磁场，用1064nm的激光垂直照射（沿z方向）在样品上两电极连线的中点上，激发产生磁致光电流。通过转动四分之一波片获得不同偏振状态下的光电流，然后通过公式拟合得到圆偏振光激发由拉莫进动引起的磁致光电流。其原理为，圆偏振光激发产生垂直方向的自旋极化Sz，x方向的磁场使得拓扑绝缘体中产生的自旋极化Sz产生拉莫进动，从而产生y方向的自旋极化Sy。这个方向的自旋极化将会引起x方向流动的电荷流，即由拉莫进动引起的圆偏振磁致电流。