公开(公告)号：CN108269941B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201810061813.X

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  黄建华 ,  郑康 ,  陆干臻 ,  叶芸 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  陈剑明

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件的制作方法。其先在FTO玻璃上通过蒸镀技术和热氧化工艺制备一层TiO2薄膜，再利用旋涂工艺制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜，随后以垂直多孔的SBA‑15薄膜作为模板，通过旋涂灌入量子点前驱体溶液，使得垂直多孔的SBA‑15薄膜孔道中嵌入量子点，再利用旋涂工艺在嵌有量子点的SBA‑15薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和银，最终形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件。本发明制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA‑15的限域作用，可使SBA‑15中形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。

公开(公告)号：CN108269941A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810061813.X

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  黄建华 ,  郑康 ,  陆干臻 ,  叶芸 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  陈剑明

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件的制作方法。其先在FTO玻璃上通过蒸镀技术和热氧化工艺制备一层TiO2薄膜，再利用旋涂工艺制备具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜，随后以垂直多孔的SBA-15薄膜作为模板，通过旋涂灌入量子点前驱体溶液，使得垂直多孔的SBA-15薄膜孔道中嵌入量子点，再利用旋涂工艺在嵌有量子点的SBA-15薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和银，最终形成所述基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件。本发明制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA-15的限域作用，可使SBA-15中形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。