一种高效处理LiFSI生产废水的方法

    公开(公告)号:CN116119766B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202310364136.X

    申请日:2023-04-07

    Abstract: 本发明公开了一种高效处理LiFSI生产废水的方法,在常温条件下,通过加入季铵盐类化合物与LiFSI生产废水中的FSI‑离子发生络合反应形成稳定的络合物,再通过有机萃取剂对溶液进行萃取,移除生成的络合物,最后将萃取后的有机相进行简单分离,可实现萃取剂回收利用。经上述处理后,废水中的FSI‑离子去除率可达98%以上,达到排放至污水站的标准。本发明利用络合物的特性,经过后续简单的操作方式,既避免了复杂冗长的工艺路线,同时有效减少对环境的污染,且易于实现工业化,为LiFSI的绿色合成和三废处理提供了新的工艺路线。

    一种4,1',6'-三氯蔗糖-6-乙酸酯的纯化方法

    公开(公告)号:CN116284171B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202310360773.X

    申请日:2023-04-06

    Abstract: 本发明提供了一种4,1',6'‑三氯蔗糖‑6‑乙酸酯的纯化方法。将4,1',6'‑三氯蔗糖‑6‑乙酸酯粗品用第一有机溶剂溶解,并添加水/第二有机溶剂形成液‑液两相,细微的4,1',6'‑三氯蔗糖‑6‑乙酸酯一水合物颗粒在恒温的液‑液界面上方沉淀,除杂得到白色共晶粉末;将共晶体完全溶解于第三有机溶剂中,其共晶水可与第三有机溶剂形成共沸物,通过减压蒸馏破坏水与4,1',6'三氯蔗糖‑6‑乙酸酯的强氢键作用力,烘干完全后得到纯度大于99.5%的4,1',6'‑三氯蔗糖‑6‑乙酸酯粉末。本发明极大简化了4,1',6'‑三氯蔗糖‑6‑乙酸酯的纯化过程,提升了分离效率,具有更好的工业价值。

    一种基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料

    公开(公告)号:CN117343461A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311185117.7

    申请日:2023-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于二硫金属配合物掺杂聚合物阻变存储材料及其制备方法和应用,属于数据存储技术领域。该存储材料是以双硫氧吡啶(Bpy)为配体与镉卤化物合成配合物,并与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)复配制得的复合材料。基于纯镉配合物器件的存储性能较差,开关比仅为102.32~103.18,随着卤素从I到SCN,存储性能逐步提高。与PVP复合后,Cl基和SCN基器件展现出了良好的三进制的存储行为(三进制产率为65%和55%),电流开关比达106.13:103.80:1,并表现良好的器件稳定性,有望应用于构建高性能卤素基存储器。原料来源广泛,制备方法简单,产品性能优异,具备显著的经济和社会效益。

    一种具有热触发开关特性的多酸基金属有机框架材料及其应用

    公开(公告)号:CN113150300B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110420386.1

    申请日:2021-04-19

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有热触发开关特性的多酸基金属有机框架材料及其应用。该多酸基金属有机框架材料的分子式为[Co(H2O)6]2[Co3(bpdo)4(H2O)10][Co4(H2O)2(B‑α‑PW9O34)2]·2bpdo·14H2O,其是以Na8HPW9O34、六水合氯化钴、4,4'‑联吡啶‑N,N'‑二氧化物为反应原料,采用简单的水热合成法制成。本发明制备成本低、操作方法简单,将所得材料制备成三层ITO/化合物/Ag存储器件,该器件在室温下不表现存储性能,但在150~270℃可显示出存储性能,且随温度变化其晶体颜色发生可视化监测,可适应于航天探测、石油钻探等特种环境下工作。

    一种用作高温阻变存储器活性层的多酸基金属有机框架材料

    公开(公告)号:CN113136036B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110435140.1

    申请日:2021-04-22

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种可用作高温阻变存储器活性层的多酸基金属有机框架材料,该材料化学式为{H[Ce(bpdo)4(H2O)3(CeGeW11O39)][(Co0.5(bpdo)(H2O)2]•5(H2O)}n,其是以K8Na2[GeW9O34]·13H2O、六水合氯化钴、六水合硝酸铈、4,4'‑联吡啶‑N,N'‑二氧化物为反应原料,采用水热合成法制成。本发明材料制备成本低、操作方法简单,并具有温度敏感、开关性能可监测等特点,在320℃条件下仍保持着存储性能,同时伴随着颜色由黄红色变为黑色的可视化变化,故将其作为阻变存储器的活性层材料制备的存储器能够适应于特种环境下如航天探测、石油钻探等环境工作。

    一种具有高量子产率的温度敏感的荧光变色材料

    公开(公告)号:CN106588981A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201710039682.0

    申请日:2017-01-19

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: C07F9/5045 C07B2200/13 C09K9/02 C09K2211/188

    Abstract: 本发明公开了一种具有高量子产率的温度敏感荧光变色材料及其制备方法。该变色材料为一种Cu(I)配合物,其是以碘化亚铜、三间甲苯基膦为反应原料,采用简单的溶液合成法制成,其在室温下,紫外光照射下能够发出高亮度的橙色荧光,并且随着温度的降低其荧光颜色发生改变,最终在77K温度下荧光颜色转变为紫红色,并且有高的荧光量子产率96.7%。且其具有制备成本低、操作方法简单、产率高;荧光强度高,温度敏感变化明显等特点。可作为一种新型的温度敏感材料,用于防伪等领域。

    一种基于巯基吡啶的镉配合物掺杂聚合物阻变存储材料

    公开(公告)号:CN117285849A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311185107.3

    申请日:2023-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于巯基吡啶的镉配合物掺杂聚合物阻变存储材料及其制备方法和应用,属于数据存储技术领域。该存储材料是以2‑巯基吡啶(2Spy)和4‑巯基吡啶(4Spy)为配体合成硫氰酸镉配合物,并与聚乙烯咔唑(PVK)复配制得的复合材料。FTO/Cd‑4Spy@PVK/Ag器件展现了三进制的RRAM存储行为,其ON2/ON1/OFF态电流比为106.10:103.33:1,VSet1/VSet2为1.27/1.87,三进制产率为61%。在100℃时存储行为会由于活性层陷阱变浅而转变为二进制的RRAM类型,器件在365 nm紫外辐射照射下具有良好的器件稳定性,为制备耐高温和耐紫外辐射的高性能存储器提供新策略。

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