公开(公告)号：CN105274484A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510704585.X

申请日：2015-10-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 周白杨 ,  陈志坚 ,  温翠莲 ,  李建新 ,  张鲁钟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Sb掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Sb元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Sb元素的均匀性。本发明具有工艺简单、重复性好、原材料利用率高等优势，不仅能够实现掺杂可控，还能有效优化薄膜结构和提高薄膜的热电性能。

公开(公告)号：CN105274484B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201510704585.X

申请日：2015-10-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 周白杨 ,  陈志坚 ,  温翠莲 ,  李建新 ,  张鲁钟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Sb掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Sb元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Sb元素的均匀性。本发明具有工艺简单、重复性好、原材料利用率高等优势，不仅能够实现掺杂可控，还能有效优化薄膜结构和提高薄膜的热电性能。