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公开(公告)号：CN109999850A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910329977.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
IPC: B01J27/057 , B01J27/04 , B01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种第Ⅲ主族硫属化物光催化材料及制备方法，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法合成尺寸均匀的Ⅲ-Ⅵ族化合物薄片。在反应温度下保持10-20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭通入氩气和氢气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的第Ⅲ主族硫属化物化合物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的第Ⅲ主族硫属化物化合物薄片，制备工艺简单，可规模化量产。
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公开(公告)号：CN109999881A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910329901.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法在含氮气氛下合成尺寸均匀的N掺杂第Ⅲ主族硫属化物薄片，在反应温度下保持10-20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭通入氩气与氨气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄片，制备工艺简单，可规模化量产，有望应用于光催化领域。
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公开(公告)号：CN109999848A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910329612.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
IPC: B01J27/057 , B01J27/04 , B01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积法制备的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法在反应腔内添加Ca源合成尺寸均匀的Ca掺杂Ⅲ-Ⅵ族化合物薄片，在反应温度下保持10-20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭氩气与氢气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族化合物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族化合物薄片，制备工艺简单，可规模化量产，可作为一种新型光催化材料。
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公开(公告)号：CN109999881B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910329901.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法在含氮气氛下合成尺寸均匀的N掺杂第Ⅲ主族硫属化物薄片，在反应温度下保持10‑20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭通入氩气与氨气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄片，制备工艺简单，可规模化量产，有望应用于光催化领域。
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公开(公告)号：CN109950516A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910329993.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种InTe/GaS异质结锂离子电极材料的制备方法，其是将InTe/GaS块体混合物溶解后涂覆在铜箔上作为阴极，以锂箔片作为阳极，采用含LiPF6的混合溶液作为电解质，将三者组成电解池，经充分放电一段时间后，将阴极材料经清洗、超声剥离、离心分离获得层状物质，最后将获得的层状物质清洗干燥，即可得到层状的InTe/GaS异质结锂离子电极材料。本发明通过严格控制反应物比例以及反应条件，获得高纯度的InTe/GaS异质结材料，其制备工艺简单，且所得产物具有优异的储锂性能，有望应用于锂离子电池的制备，具有很好的产业化前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109999848B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201910329612.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
IPC: B01J27/057 , B01J27/04 , B01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积法制备的掺Ca正交相Ⅲ‑Ⅵ族光催化材料，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法在反应腔内添加Ca源合成尺寸均匀的Ca掺杂Ⅲ‑Ⅵ族化合物薄片，在反应温度下保持10‑20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭氩气与氢气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺Ca正交相Ⅲ‑Ⅵ族化合物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的掺Ca正交相Ⅲ‑Ⅵ族化合物薄片，制备工艺简单，可规模化量产，可作为一种新型光催化材料。
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公开(公告)号：CN109999849A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910329955.4
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
IPC: B01J27/057 , B01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料及制备方法，在氢气和氩气载气下，利用低压化学气相沉积法，在高温退火银箔的基底上合成正交相Ⅲ-Ⅵ族InSe/InS、InSe/GaS、InSe/GaSe、InS/GaSe、InS/GaS或GaSe/GaS异质结。该方法制备工艺简单，产品纯度较高，所制备的正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结有望应用于光催化材料领域。
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公开(公告)号：CN108218425B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810070316.6
申请日：2018-01-24
Applicant: 福州大学
IPC: C22C1/04
Abstract: 本发明公开了一种Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料及其制备方法，其是按比例分别称量Ca粉、Ge粉和Sb粉，然后将其置于有机溶剂中进行超声波振荡，使之充分混合；然后待有机溶剂完全挥发后，经干法成型制成块体；再将其置于氧化铝坩埚内并用Ca粉封填，放入微波真空高温加热炉内，在高纯氩气氛围中，经高温反应得到Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料。本发明通过微波加热，避免了传统烧结过程中晶粒异常长大的现象，最终获得具有超细晶粒结构材料，并实现了材料合成温度的降低，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108218425A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810070316.6
申请日：2018-01-24
Applicant: 福州大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , H01L35/18 , H01L35/34
CPC classification number: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/42 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/667 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料及其制备方法，其是按比例分别称量Ca粉、Ge粉和Sb粉，然后将其置于有机溶剂中进行超声波振荡，使之充分混合；然后待有机溶剂完全挥发后，经干法成型制成块体；再将其置于氧化铝坩埚内并用Ca粉封填，放入微波真空高温加热炉内，在高纯氩气氛围中，经高温反应得到Sb掺杂的立方相Ca2Ge基热电材料。本发明通过微波加热，避免了传统烧结过程中晶粒异常长大的现象，最终获得具有超细晶粒结构材料，并实现了材料合成温度的降低，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN219969256U
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202320104240.0
申请日：2023-02-03
Applicant: 福州大学至诚学院
Abstract: 本实用新型涉及一种翻转擦拭黑板，包括框架，所述框架前面的矩形内框上竖向均布有若干条横向延伸的书写板体，所述书写板体的竖向截面形状均为等边三角形，所述书写板体的端部中心均经电机驱动旋转的转轴安装在框架上，所述书写板体的端部与框架的端部之间具有间距，该间距上均设有黑板擦，所述黑板擦均经电动机构驱动进行横向往复平移，用以平移接触到书写板体的上部斜面并擦拭，所述框架的底部设有用以收集粉末的抽屉。擦拭过程在框架内部进行，粉笔灰不易外露飞扬且能最终落尘到抽屉集中，不会有吸尘的大噪音。
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