一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路及工作方法

    公开(公告)号:CN111224620B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202010240161.3

    申请日:2020-03-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路及工作方法。所述电路中述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接,输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接,分频器的输出端与温度传感器的输入端连接,温度传感器的输出端与存储器模块的输入端连接,存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接,第一开关电容阵列的一端、第二开关电容阵列的一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、第二负载电容输入端连接,第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。本发明通过存储器模块在不同温度下调节相应的负载电容容值来减小FBAR振荡电路随温度变化产生的频率漂移,提高了频率稳定度。

    一种钼掺杂片状二硒化钴/石墨烯复合电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109962229B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201910305752.1

    申请日:2019-04-16

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 郑玉婴 张祥

    Abstract: 本发明属于复合电极材料制备技术领域,具体涉及一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法和应用。通过水热反应,以硝酸钴为钴源,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,一步反应得到CoSe2前驱体,再通过煅烧法,首先在熔融状态下将钼离子掺杂进入CoSe2前驱体内,接着通过硒蒸汽对前驱体进行硒化,同时将氧化石墨烯还原为石墨烯,得到钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料。本发明中所制备的电极材料将其组装成锂离子电池时,其所展现出的比电容高达996 mAh g‑1,可用于锂离子电池负极材料。

    一种氮/镍/钴共掺杂石墨毡电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106486296B

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201611029245.2

    申请日:2016-11-22

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 郑玉婴 张祥

    Abstract: 本发明属于纳米材料和电化学领域,具体涉及一种氮/镍/钴共掺杂石墨毡电极材料的制备方法。以氯化镍和氯化钴为镍和钴源,苯胺为氮源,过硫酸铵为引发剂,在预氧化的石墨毡表面经超声聚合一层聚苯胺,再经高温煅烧热解制得氮/镍/钴共掺杂石墨毡电极材料。在本发明中,镍钴离子通过静电力结合在苯胺周围,而苯胺可以通过共轭和静电效应在石墨毡表面均匀聚合。经高温煅烧,聚苯胺热解形成石墨,而氮元素以吡咯氮、吡啶氮和石墨氮的形式留在石墨毡表面。所得电极在具备较高比电容的同时,也具备柔软的力学特征,可用于超级电容器电极材料。

    NiCo2S4/石墨毡复合电极材料的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN106206059B

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201610837638.X

    申请日:2016-09-22

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 郑玉婴 张祥

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明公开了一种NiCo2S4/石墨毡复合电极材料的制备方法和应用。以水和乙醇为溶剂,小苏打为碱源,氟化铵为表面活性剂,氯化钴、氯化镍为钴源和镍源,在预氧化的石墨毡上经水热反应构筑镍钴前驱体;再以硫代乙酰胺为硫源,二次水热法制得针状NiCo2S4/石墨毡复合电极材料。在本发明中,镍钴前驱体能够增加硫元素的负载量,稳定NiCo2S4的形貌,氟化铵大大提升了NiCo2S4的形核率,使得复合材料的比电容增加,比电容高达1260~1265 F/g。制得的NiCo2S4/石墨毡复合电极材料不但具有较好的电导率、较高的比电容,也同时具备柔软的力学特征,可用于超级电容器电极材料。

    一种钼掺杂片状二硒化钴/石墨烯复合电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109962229A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201910305752.1

    申请日:2019-04-16

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 郑玉婴 张祥

    Abstract: 本发明属于复合电极材料制备技术领域,具体涉及一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法和应用。通过水热反应,以硝酸钴为钴源,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,一步反应得到CoSe2前驱体,再通过煅烧法,首先在熔融状态下将钼离子掺杂进入CoSe2前驱体内,接着通过硒蒸汽对前驱体进行硒化,同时将氧化石墨烯还原为石墨烯,得到钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料。本发明中所制备的电极材料将其组装成锂离子电池时,其所展现出的比电容高达996 mAh g‑1,可用于锂离子电池负极材料。

    一种氮/镍/钴共掺杂石墨毡电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106486296A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201611029245.2

    申请日:2016-11-22

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 郑玉婴 张祥

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/86 H01G11/30 H01G11/32

    Abstract: 本发明属于纳米材料和电化学领域,具体涉及一种氮/镍/钴共掺杂石墨毡电极材料的制备方法。以氯化镍和氯化钴为镍和钴源,苯胺为氮源,过硫酸铵为引发剂,在预氧化的石墨毡表面经超声聚合一层聚苯胺,再经高温煅烧热解制得氮/镍/钴共掺杂石墨毡电极材料。在本发明中,镍钴离子通过静电力结合在苯胺周围,而苯胺可以通过共轭和静电效应在石墨毡表面均匀聚合。经高温煅烧,聚苯胺热解形成石墨,而氮元素以吡咯氮、吡啶氮和石墨氮的形式留在石墨毡表面。所得电极在具备较高比电容的同时,也具备柔软的力学特征,可用于超级电容器电极材料。

    一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路及工作方法

    公开(公告)号:CN111224620A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010240161.3

    申请日:2020-03-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路及工作方法。所述电路中述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接,输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接,分频器的输出端与温度传感器的输入端连接,温度传感器的输出端与存储器模块的输入端连接,存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接,第一开关电容阵列的一端、第二开关电容阵列的一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、第二负载电容输入端连接,第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。本发明通过存储器模块在不同温度下调节相应的负载电容容值来减小FBAR振荡电路随温度变化产生的频率漂移,提高了频率稳定度。

    NiCo2S4/石墨毡复合电极材料的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN106206059A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610837638.X

    申请日:2016-09-22

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 郑玉婴 张祥

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/30 H01G11/32 H01G11/86

    Abstract: 本发明公开了一种NiCo2S4/石墨毡复合电极材料的制备方法和应用。以水和乙醇为溶剂,小苏打为碱源,氟化铵为表面活性剂,氯化钴、氯化镍为钴源和镍源,在预氧化的石墨毡上经水热反应构筑镍钴前驱体;再以硫代乙酰胺为硫源,二次水热法制得针状NiCo2S4/石墨毡复合电极材料。在本发明中,镍钴前驱体能够增加硫元素的负载量,稳定NiCo2S4的形貌,氟化铵大大提升了NiCo2S4的形核率,使得复合材料的比电容增加,比电容高达1260~1265 F/g。制得的NiCo2S4/石墨毡复合电极材料不但具有较好的电导率、较高的比电容,也同时具备柔软的力学特征,可用于超级电容器电极材料。

    一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路

    公开(公告)号:CN211405972U

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202020437567.6

    申请日:2020-03-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路。所述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接,输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接,分频器的输出端与温度传感器的输入端连接,温度传感器的输出端与非易失性存储器模块的输入端连接,非易失性存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接,第一开关电容阵列的一端、第二开关电容阵列的一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、第二负载电容输入端连接,第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。本实用新型通过非易失性存储器模块在不同温度下调节相应的负载电容容值来减小FBAR振荡电路随温度变化产生的频率漂移,提高了频率稳定度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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