-
公开(公告)号:CN117942996A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410113407.9
申请日:2024-01-26
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于光催化乙烷脱氢制乙烯技术领域,具体涉及一种可在温和条件下催化乙烷脱氢制乙烯且可循环使用的负载型光催化剂。首先采用水热法制备WO3,然后通过“浸渍‑还原”法将助催化剂Pt负载于WO3表面,制得催化剂Pt/WO3‑x。在模拟太阳光照下,该负载型光催化剂可高选择性催化乙烷脱氢制乙烯。反应后,Pt/WO3‑x光催化剂可通过简易的“煅烧‑还原”处理实现再生,从而有效解决传统脱氢催化剂稳定性差、再生难等问题。该负载型催化剂的制备方法简单,反应条件温和,在乙烷脱氢制备乙烯工艺中具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号:CN117255611A
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202311185056.4
申请日:2023-09-14
Abstract: 本发明公开了一种基于没食子酸和三聚氰胺共晶的可逆三进制阻变存储器,属于数据存储技术领域。该阻变存储器的多级存储材料为没食子酸与三聚氰胺通过氢键相连形成的共晶材料(MA‑H)GA·2H2O。在室温下,其表现出优异的三进制RRAM存储性能,高温(130℃)表现为WORM存储性能,放置在相对湿度98%、10 h后又变为三进制RRAM存储性能,并且有良好的稳定性和重现性。本发明首次制得可逆的基于没食子酸和三聚氰胺的共晶的阻变存储器,其具有三进制RRAM/WORM切换存储功能,该共晶材料制备成本低、操作方法简单,对环境污染小,可作为一种新的多级存储材料,符合于当今大数据环境下对绿色存储器件的要求。
-
公开(公告)号:CN117279489A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311183435.X
申请日:2023-09-14
Abstract: 本发明公开了一种基于没食子酸和季磷盐衍生物共晶化合物的三进制阻变存储器,属于数据存储技术领域。该阻变存储器的多级存储材料为没食子酸和季磷盐衍生物的共晶化合物(1,2‑DBTPP)·(GA)、(P‑XTPP)·(GA)、(TETPP)·(GA)或(BTPPB)·(GA)。在室温下,该阻变存储器表现出优异的三元存储性能,并且有良好的稳定性和重现性。本发明首次制得具有三进制基于没食子酸和季磷盐衍生物共晶化合物的阻变存储器,其共晶化合物材料制备成本低、操作方法简单,对环境污染小,有望成为一种全新的多级存储材料,符合于当今大数据环境下对绿色存储器件的要求。
-
-