公开(公告)号：CN105705921B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201480040855.5

申请日：2014-02-25

Applicant: 相干公司

Inventor： R·塞梅拉德 ,  E·克劳斯 ,  J·施洛斯

IPC: G01J5/12 ,  G01J5/04

Abstract: 一种激光辐射传感器包括铜衬底，其上生长了定向的多晶缓冲层，多晶缓冲层上是各向异性横向热电材料的定向的多晶传感器元件。与传感器元件热连接的吸收层被激光辐射加热以被测量并且将热交换至传感器元件，从而导致传感器元件上的热梯度。与传感器元件电接触的隔开的电极感测与热梯度相对应的电压，作为入射激光辐射功率的测量结果。至少两个保护层被布置在传感器层和吸收层之间。

公开(公告)号：CN105705921A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480040855.5

申请日：2014-02-25

Applicant: 相干公司

Inventor： R·塞梅拉德 ,  E·克劳斯 ,  J·施洛斯

IPC: G01J5/12 ,  G01J5/04

CPC classification number: H01L31/0368 ,  G01J1/4257 ,  G01J5/046 ,  G01J5/12 ,  G01K17/003

Abstract: 一种激光辐射传感器包括铜衬底，其上生长了定向的多晶缓冲层，多晶缓冲层上是各向异性横向热电材料的定向的多晶传感器元件。与传感器元件热连接的吸收层被激光辐射加热以被测量并且将热交换至传感器元件，从而导致传感器元件上的热梯度。与传感器元件电接触的隔开的电极感测与热梯度相对应的电压，作为入射激光辐射功率的测量结果。至少两个保护层被布置在传感器层和吸收层之间。

公开(公告)号：CN104884918B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201380051638.1

申请日：2013-09-27

Applicant: 相干公司

Inventor： R·塞梅拉德 ,  E·克劳斯 ,  J·施洛斯

IPC: G01J5/12 ,  G01K17/00

CPC classification number: H01L31/0368 ,  G01J1/4257 ,  G01J5/046 ,  G01J5/12 ,  G01K17/003

Abstract: 一种激光辐射传感器(30)包括铜衬底(32)，其上生长了定向的多晶缓冲层(34)，多晶缓冲层上是各向异性横向热电材料(36)的定向的多晶传感器元件。与传感器元件热连接的吸收层(42)被激光辐射加热以被测量并且将热交换至传感器元件，从而导致传感器元件上的热梯度。与传感器元件电接触的隔开的电极(38,40)感测与热梯度相对应的电压，作为入射激光辐射功率的测量结果。

公开(公告)号：CN104884918A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380051638.1

申请日：2013-09-27

Applicant: 相干公司

Inventor： R·塞梅拉德 ,  E·克劳斯 ,  J·施洛斯

IPC: G01J5/12 ,  G01K17/00

CPC classification number: H01L31/0368 ,  G01J1/4257 ,  G01J5/046 ,  G01J5/12 ,  G01K17/003

Abstract: 一种激光辐射传感器(30)包括铜衬底(32)，其上生长了定向的多晶缓冲层(34)，多晶缓冲层上是各向异性横向热电材料(36)的定向的多晶传感器元件。与传感器元件热连接的吸收层(42)被激光辐射加热以被测量并且将热交换至传感器元件，从而导致传感器元件上的热梯度。与传感器元件电接触的隔开的电极(38,40)感测与热梯度相对应的电压，作为入射激光辐射功率的测量结果。