公开(公告)号：CN1757124B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200480006105.2

申请日：2004-02-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： B·-H·休斯曼 ,  M·E·梅纳贝尼托 ,  T·C·T·格昂斯

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/0516 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明的器件包括由有机半导体材料构成的薄膜晶体管。该半导体材料通过施加首先是保护层其后是光致抗蚀剂而被构图。由此，本发明的晶体管(A)与现有技术的晶体管(B，C)相比显示出很低的漏电流和低的阈值电压。

公开(公告)号：CN1757124A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200480006105.2

申请日：2004-02-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： B·-H·休斯曼 ,  M·E·梅纳贝尼托 ,  T·C·T·格昂斯

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/0516 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明的器件包括由有机半导体材料构成的薄膜晶体管。该半导体材料通过施加首先是保护层其后是光致抗蚀剂而被构图。由此，本发明的晶体管(A)与现有技术的晶体管(B，C)相比显示出很低的漏电流和低的阈值电压。