公开(公告)号：CN1682148A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03822047.4

申请日：2003-08-08

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·尼萨托 ,  M·M·J·德克雷 ,  B·-H·休斯曼 ,  P·C·P·鲍坦

IPC: G02F1/1339

CPC classification number: B82Y30/00 ,  G02F1/13392 ,  G02F1/13394

Abstract: 本发明涉及一种获得彼此被隔离物(1)隔开的一对基板的方法，步骤包括：a)提供一个覆盖了第一层(3)的第一基板(2)，其中所述第一层(3)上带有可带静电荷的带有图案的疏水性第二层(4)或带有图案的亲水性第二层(4)；和b)任选地对第一层(3)上没有覆盖疏水性或亲水性第二层(4)的部位进行处理，形成带有静电荷的带有图案的亲水性第三层(5，6)；c)提供带静电荷的第一(3)、第二(4)和第三层(5，6)中的至少一个；d)将带静电的带有图案的第一基板(2)与带电和官能化的聚合物颗粒(1)的分散体相接触，使聚合物颗粒(1)静电粘附到带有相反电荷的层上；e)任选地从没有静电粘附官能化的聚合物颗粒(1)的部位除去所述官能化的聚合物颗粒(1)；以及f)随后，将第一基板(2)连接到第二基板，获得所述一对基板。

公开(公告)号：CN1757124A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200480006105.2

申请日：2004-02-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： B·-H·休斯曼 ,  M·E·梅纳贝尼托 ,  T·C·T·格昂斯

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/0516 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明的器件包括由有机半导体材料构成的薄膜晶体管。该半导体材料通过施加首先是保护层其后是光致抗蚀剂而被构图。由此，本发明的晶体管(A)与现有技术的晶体管(B，C)相比显示出很低的漏电流和低的阈值电压。

公开(公告)号：CN1757124B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200480006105.2

申请日：2004-02-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： B·-H·休斯曼 ,  M·E·梅纳贝尼托 ,  T·C·T·格昂斯

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/0516 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明的器件包括由有机半导体材料构成的薄膜晶体管。该半导体材料通过施加首先是保护层其后是光致抗蚀剂而被构图。由此，本发明的晶体管(A)与现有技术的晶体管(B，C)相比显示出很低的漏电流和低的阈值电压。

公开(公告)号：CN1761639A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200480007110.5

申请日：2004-03-17

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： W·坦霍伊维 ,  B·-H·休斯曼

IPC: C07C43/305 ,  C07C49/665 ,  C07C2/50 ,  C07C13/62 ,  H01L51/50 ,  C09K11/06

CPC classification number: C07C49/697 ,  C07C13/62 ,  C07C17/16 ,  C07C17/361 ,  C07C43/313 ,  C07C2603/54 ,  C07C22/02 ,  C07C23/18

Abstract: 前体低聚苯尤其是并五苯的合成是两步方法。在第一步骤中形成了a，b－二氢－a，b－亚乙烯基低聚苯与1，1－二烷氧基环戊二烯的狄尔斯－阿德耳加合物。在第二步骤中这一狄尔斯－阿德耳加合物转化成前体低聚苯，其中首先形成相应的酮化合物，它可以在此之后被除去。所得到的前体低聚苯用热处理转化成低聚苯，特别是在基材上提供它的溶液之后。它适合于在薄膜晶体管中用作半导体材料。