公开(公告)号：CN1902762A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200480039896.9

申请日：2004-12-22

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·P·格拉波夫斯基 ,  C·R·隆达

IPC: H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8246

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明描述了一种半导体组件，其设置在半导体本体(1)中，在所有情况下都具有第一导电类型的至少一个源区(4)和至少一个漏区(5)，在所有情况下都具有设置在源区和漏区之间的第二导电类型的至少一个本体区(8)，以及具有借助绝缘层(9)与半导体本体绝缘的至少一个栅电极(10)，该绝缘层(9)是固结的、优选烧结的、包含量子点的层。本发明还描述了一种制造这种半导体组件的方法，其中将包含量子点的电介质悬浮体施加到半导体本体上，并且然后例如通过烧结使悬浮体固结。