公开(公告)号：CN100361015C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN02822055.2

申请日：2002-10-29

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·W·格林 ,  S·J·巴特斯拜 ,  J·R·胡赫斯 ,  I·D·弗伦奇

IPC: G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13624

Abstract: 一种构造有源矩阵像素器件的方法使用了通用有源矩阵(UAM)，其包括间隔限定基本间距的开关元件(20)的矩阵阵列和像素阵列，该像素阵列包括间隔限定像素间距的像素电极(19)的矩阵阵列。像素间距大于基本间距。构造过程的大部分可在定制器件之前被实施。使用公用UAM使能减小用户预订器件和完成时间之间的时间。满足制造有源矩阵像素器件的用户特定需要的成本由此被减小。

公开(公告)号：CN1675751A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03819636.0

申请日：2003-08-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·W·格林

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种制造TFT的方法，包括：蚀刻衬底(1)上的基层结构(9)，使得形成具有朝向顶点区(12)延伸的斜侧边缘(4a、4b)的栅极(4)，该顶点区(12)具有半径为几纳米的尖端(13)，在该斜侧边缘和该顶点区之上淀积非晶硅沟道层(6)，在该沟道层之上淀积金属层(8)，使得覆盖该顶点区和该侧边缘，在该导电材料之上涂覆一层掩蔽材料(14)并对其进行选择性蚀刻，以便该顶点区中的金属层(8)从该掩蔽材料伸出穿过并直立，以及选择性地蚀刻该顶点区中伸出穿过该掩蔽材料(14)的金属(8)，以便提供覆盖该斜边缘、其间具有短沟道(L)的分开的自对准的源区和漏区(8a、8b)。

公开(公告)号：CN100416779C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN03819636.0

申请日：2003-08-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·W·格林

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种制造TFT的方法，包括：蚀刻衬底(1)上的基层结构(9)，使得形成具有朝向顶点区(12)延伸的斜侧边缘(4a、4b)的栅极(4)，该顶点区(12)具有半径为几纳米的尖端(13)，在该斜侧边缘和该顶点区之上淀积非晶硅沟道层(6)，在该沟道层之上淀积金属层(8)，使得覆盖该顶点区和该侧边缘，在该导电材料之上涂覆一层掩蔽材料(14)并对其进行选择性蚀刻，以便该顶点区中的金属层(8)从该掩蔽材料伸出穿过并直立，以及选择性地蚀刻该顶点区中伸出穿过该掩蔽材料(14)的金属(8)，以便提供覆盖该斜边缘、其间具有短沟道(L)的分开的自对准的源区和漏区(8a、8b)。

公开(公告)号：CN1582413A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02822055.2

申请日：2002-10-29

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·W·格林 ,  S·J·巴特斯拜 ,  J·R·胡赫斯 ,  I·D·弗伦奇

IPC: G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13624

Abstract: 一种构造有源矩阵像素器件的方法使用了通用有源矩阵(UAM)，其包括间隔限定基本间距的开关元件(20)的矩阵阵列和像素阵列，该像素阵列包括间隔限定像素间距的像素电极(19)的矩阵阵列。像素间距大于基本间距。构造过程的大部分可在定制器件之前被实施。使用公用UAM使能减小用户预订器件和完成时间之间的时间。满足制造有源矩阵像素器件的用户特定需要的成本由此被减小。