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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1742393A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002930.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0083 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0046 , H01L51/005 , H01L51/0058 , H01L51/0065 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , H01L51/0566
Abstract: 提供了一种具有呈双极特性的有机半导体材料的场效应晶体管。另外，使得能够实现双极特性的有机半导体材料是具有小带隙的材料。
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公开(公告)号：CN100407472C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN02819333.4
申请日：2002-09-23
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 包括具有有源层(5)的薄膜晶体管(10)的电子器件，该有源层(5)包含有机半导体材料和不合电荷载流子的载体材料。该载体材料其电导率小于10-6S/cm并且优选的是电绝缘的。该薄膜晶体管(10)具有可以与含有由有机半导体材料构成的有源层的晶体管的迁移率相比的迁移率。优选，该有机半导体材料是低聚物。用于涂敷该有源层的组合物可以包含光敏组分。使用这种组合物，该有源层可以具有起伏结构，从而防止该电子器件中的邻近晶体管之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN1742392A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002935.8
申请日：2004-01-26
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0083 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0046 , H01L51/005 , H01L51/0058 , H01L51/0065 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , H01L51/0566
Abstract: 电子器件包括具有第一和第二场效应晶体管的反相器单元，该晶体管具有包括第一导电类型的第一有机半导体材料和具有第二导电类型的第二有机半导体材料的有源层。该有源层可以通过溶液提供，例如，其是两种材料的混合物。
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公开(公告)号：CN1742393B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200480002930.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0083 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0046 , H01L51/005 , H01L51/0058 , H01L51/0065 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , H01L51/0566
Abstract: 提供了一种具有呈双极特性的有机半导体材料的场效应晶体管。另外，使得能够实现双极特性的有机半导体材料是具有小带隙的材料。
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公开(公告)号：CN1561552A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02819333.4
申请日：2002-09-23
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0003 , G02F1/1368 , H01L27/283 , H01L27/30 , H01L51/0014 , H01L51/002 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0052 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 包括具有有源层(5)的薄膜晶体管(10)的电子器件，该有源层(5)包含有机半导体材料和不含电荷载流子的载体材料。该载体材料其电导率小于10－6S/cm并且优选的是电绝缘的。该薄膜晶体管(10)具有可以与含有由有机半导体材料构成的有源层的晶体管的迁移率相比的迁移率。优选，该有机半导体材料是低聚物。用于涂敷该有源层的组合物可以包含光敏组分。使用这种组合物，该有源层可以具有起伏结构，从而防止该电子器件中的邻近晶体管之间的漏电流。
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