公开(公告)号：CN100407472C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN02819333.4

申请日：2002-09-23

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： D·M·德里尤 ,  G·H·格林克 ,  B·-H·鲁斯曼

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L27/28

Abstract: 包括具有有源层(5)的薄膜晶体管(10)的电子器件，该有源层(5)包含有机半导体材料和不合电荷载流子的载体材料。该载体材料其电导率小于10-6S/cm并且优选的是电绝缘的。该薄膜晶体管(10)具有可以与含有由有机半导体材料构成的有源层的晶体管的迁移率相比的迁移率。优选，该有机半导体材料是低聚物。用于涂敷该有源层的组合物可以包含光敏组分。使用这种组合物，该有源层可以具有起伏结构，从而防止该电子器件中的邻近晶体管之间的漏电流。

公开(公告)号：CN1561552A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN02819333.4

申请日：2002-09-23

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： D·M·德里尤 ,  G·H·格林克 ,  B·-H·鲁斯曼

IPC: H01L51/20 ,  G03F7/40 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0003 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/283 ,  H01L27/30 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545

Abstract: 包括具有有源层(5)的薄膜晶体管(10)的电子器件，该有源层(5)包含有机半导体材料和不含电荷载流子的载体材料。该载体材料其电导率小于10－6S/cm并且优选的是电绝缘的。该薄膜晶体管(10)具有可以与含有由有机半导体材料构成的有源层的晶体管的迁移率相比的迁移率。优选，该有机半导体材料是低聚物。用于涂敷该有源层的组合物可以包含光敏组分。使用这种组合物，该有源层可以具有起伏结构，从而防止该电子器件中的邻近晶体管之间的漏电流。