公开(公告)号：CN101796429A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105812.5

申请日：2008-09-05

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·赫尔曼 ,  C·博伊默 ,  R·斯特德曼布克 ,  C·蔡特勒

IPC: G01T1/24 ,  G01T1/20

CPC classification number: G01T1/249 ,  G01T1/20 ,  G01T1/242

Abstract: 本发明涉及特别用于X射线(X)和γ射线的辐射探测器(100)，其包括以下部件的组合：(a)对于光子具有低衰减系数的至少一个初级转换层(101a-101f)以及(b)对于光子具有高衰减系数的至少一个次级转换层(102)。在优选实施例中，初级转换层(101a-101f)可以由与相关联的能量分辨计数电子设备(111a-111f，121)耦合的硅层实现。次级转换层(102)可以例如由与能量分辨计数电子设备或积分电子设备耦合的CZT或GOS实现。利用具有低阻止本领的初级转换层允许构建用于谱CT的堆叠式辐射探测器(100)，其中将这些层的计数率限制为可行的值，而无需不现实的薄层。