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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115747953A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211244420.5
申请日：2022-10-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种提高分子束外延束流特性的方法与装置,涉及分子束外延束源领域。束流的强度、稳定性和分布角度是束源的重要特性参数，且对晶体的外延生长有着非常重要的影响。本发明的主要装置包括:外套筒，内套筒，喷嘴。内套筒与外套筒之间形成缓冲腔，使束流通过缓冲腔之后再到达喷口，且可以通过调节装置的缓冲腔容积和缓冲腔入口面积等结构参数来优化束流强度、束流稳定性和束流分布角度。本方法及装置具有操作简单、普适性强、高效可控等优点。
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公开(公告)号：CN115786854A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211244961.8
申请日：2022-10-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种用于MBE束源炉分区温控的方法与结构，提出了束源炉分区温控的方法，设计了由灯丝、冷凝管、测温热电偶以及若干其他部分组成的束源炉结构，并在其中加入了灯丝和冷凝管横向缠绕、快速升降温、移动式加热、纵向连续测温等设计因素。本发明能够实现束源炉的各区域温度稳定可控，具有操作简单、温度响应快速等优点，提高了束源炉的工作效率。
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公开(公告)号：CN116770425A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310684617.9
申请日：2023-06-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种具有自补偿功能的MBE液态源炉及其使用方法。该液态源炉具有液位自补偿、突出的长时稳定束流、较好的可重复性、非暴露开腔式加注液态材料等特性，可应用于使用液态源的分子束外延领域。该液态源炉由液态材料储存系统、液位控制系统、束流发射系统构成，可以根据液态材料储存系统和生长腔的压强差来动态调节液态材料的液位高度，实现自动维持液位高度恒定。应用了该液态源炉的分子束系统，可以有效解决液态源炉中由材料消耗带来的束流稳定性差的问题，进一步提高分子束外延的性能。本发明在提出一种具有液位自补偿功能的MBE液态源炉的基础上，也提出了其使用方法。
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公开(公告)号：CN113964003A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111179929.1
申请日：2021-10-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米管结构的GaN光电阴极及其制备方法。该纳米管结构的GaN光电阴极结构包括：由下至上依次设置的衬底(11)、缓冲层(12)、p型GaN层(13)、GaN纳米管层(14)、激活层(15)。本发明在传统GaN光电阴极结构基础上，采用纳米管结构的GaN作为光电阴极电子发射层的外延层，可以增大光电发射的表面积，促进光电子在发射层中的扩散和在表面的逸出，从而有效解决光电阴极中光电转化率不高的问题，有助于提高GaN光电阴极的量子效率。并且由于纳米管结构硬度大、耐高温、导热性能好，因此具有纳米管结构的GaN光电阴极拥有散热快、稳定性好等优点，可以有效地提高其使用寿命。
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公开(公告)号：CN113964012A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111184550.X
申请日：2021-10-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN光电阴极的紫外光子计数器及其制备方法。该光子计数器自上而下由窗口、GaN光电阴极、微通道板和荧光屏组成，整个组件的边缘密封以形成内部真空的状态；该光子计数器制备方法包括：在合适的衬底上外延生长p型GaN光电材料、GaN材料的表面净化和超高真空系统内的激活、以及整个组件的封装。本发明能够实现紫外波段的单光子探测与计数。
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