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公开(公告)号：CN114322740A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111470222.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射的复合薄膜应变计，该复合薄膜应变计包括不锈钢基底、氧化铝绝缘层、镍铬合金薄膜应变层、环氧导电胶、氧化铝保护层和铜导线，本发明采用磁控溅射沉积薄膜，薄膜致密均匀，稳定性高，测量应变性能好，在低温环境中受外界环境影响小；本发明采用光刻掩膜版图形化应变栅方案，适用于在小尺寸部件及精度要求高的部件表面图形化应变栅，图形小精度高，操作流程简单；本发明应变层应变栅图形由四个相同的基本应变栅单元组成，任意一个横向和纵向成对可以与外部电路相接构成惠斯通电桥实现具备温度补偿作用的应力的测量，同时还可以实现对四个基本应变栅单元的电阻进行单独测量。
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公开(公告)号：CN117320542A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311357606.6
申请日：2023-10-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了铁电存储器用铁电薄膜电容及制备方法。包括基板，位于基板上的下电极，下电极上的铁电薄膜层以及上方的上层电极结构。本发明还公开了一种铁电薄膜电容刻蚀图形的制备工艺，主要为直流溅射工艺，光刻工艺，刻蚀工艺；对硅基底进行超声清洗工艺；进行直流溅射，制备得到下电极；进行射频溅射，制备得到铁电薄膜；进行光刻和刻蚀工艺，制备图形化的铁电薄膜；最后制备得到上电极。此外本发明的结构工艺比较简单，可靠性比较好，可以适用于集成铁电。本发明的铁电薄膜电容刻蚀图形工艺，制造方法简单，功耗较小，成本较低，有利于集成。
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公开(公告)号：CN114280108A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111474405.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及一种铝基多孔氧化铝薄膜湿敏传感器及其制备方法，属于传感器技术领域，所述传感器的主体包括有铝基底，铝基底表面生长的多孔氧化铝薄膜以及氧化铝薄膜表面的顶电极，所述传感器的制备工艺包括有：一次氧化工艺、二次氧化工艺、蒸发镀膜工艺以及电极电线引出工艺。本发明制备的多孔氧化铝薄膜工艺功耗低，薄膜表面具有较大的孔径，具有较快的响应速度和恢复速度。
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公开(公告)号：CN117286468A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311256533.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种提高磁控溅射沉积薄膜均匀性和靶材寿命的方法，该方法主要包括靶阴极磁体转动和基片转动两种方法。本发明采用两种转动方法结合的方式，能够分别控制转动速度，大大提高磁控溅射沉积薄膜的均匀性，提高薄膜质量的同时能够大幅提高靶材利用率，降低成本。
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