公开(公告)号：CN114086118A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111319477.2

申请日：2021-11-09

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 乔梁 ,  赵钧睿 ,  丁翔 ,  冷华倩 ,  赵燕 ,  徐明辉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种自支撑柔性LaNiO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)制备Sr3Al2O6靶材；(2)制备LaNiO3靶材；(3)清洗并刻蚀SrTiO3基片；(4)将Sr3Al2O6靶材、LaNiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统，接着依次在SrTiO3衬底上外延生长出Sr3Al2O6和LaNiO3单晶薄膜；(5)在薄膜表面悬涂一层PMMA并加热，接着溶解；(6)PMMA和LaNiO3薄膜漂浮在水面上后，用Si片将其打捞并烘干；(7)将样品去除PMMA，取出后烘干，制得产品。Sr3Al2O6作为牺牲层用来得到柔性导电的LaNiO3薄膜，其具有质量高，简单快捷的特点。

公开(公告)号：CN114197048A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111490995.0

申请日：2021-12-08

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 乔梁 ,  赵燕 ,  冷华倩 ,  丁翔 ,  徐明辉

IPC: C30B29/32 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种具有二维电子气的单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将氧化镧和氧化钛前驱体粉末均匀混合后研磨，并用压片机压靶，在马弗炉中高温烧结后得到LaTiO3靶材；(2)清洗并刻蚀SrTiO3基片；(3)将LaTiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统，在合适的条件下生长LaTiO3单晶薄膜；(4)在真空环境下，获得不同温度下的相同厚度的LaTiO3薄膜；(5)控制不同的氧压，在薄膜生长时能达到的真空度从高真空降到低真空，每隔一个数量级生长一个薄膜，制得不同氧压下的LaTiO3薄膜。本发明通过曲线可以看出薄膜与STO界面之间都存在二维电子气，使薄膜表现出金属性。

公开(公告)号：CN114086118B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111319477.2

申请日：2021-11-09

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 乔梁 ,  赵钧睿 ,  丁翔 ,  冷华倩 ,  赵燕 ,  徐明辉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种自支撑柔性LaNiO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)制备Sr3Al2O6靶材；(2)制备LaNiO3靶材；(3)清洗并刻蚀SrTiO3基片；(4)将Sr3Al2O6靶材、LaNiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统，接着依次在SrTiO3衬底上外延生长出Sr3Al2O6和LaNiO3单晶薄膜；(5)在薄膜表面悬涂一层PMMA并加热，接着溶解；(6)PMMA和LaNiO3薄膜漂浮在水面上后，用Si片将其打捞并烘干；(7)将样品去除PMMA，取出后烘干，制得产品。Sr3Al2O6作为牺牲层用来得到柔性导电的LaNiO3薄膜，其具有质量高，简单快捷的特点。

公开(公告)号：CN114197048B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202111490995.0

申请日：2021-12-08

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 乔梁 ,  赵燕 ,  冷华倩 ,  丁翔 ,  徐明辉

IPC: C30B29/32 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种具有二维电子气的单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将氧化镧和氧化钛前驱体粉末均匀混合后研磨，并用压片机压靶，在马弗炉中高温烧结后得到LaTiO3靶材；(2)清洗并刻蚀SrTiO3基片；(3)将LaTiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统，在合适的条件下生长LaTiO3单晶薄膜；(4)在真空环境下，获得不同温度下的相同厚度的LaTiO3薄膜；(5)控制不同的氧压，在薄膜生长时能达到的真空度从高真空降到低真空，每隔一个数量级生长一个薄膜，制得不同氧压下的LaTiO3薄膜。本发明通过曲线可以看出薄膜与STO界面之间都存在二维电子气，使薄膜表现出金属性。

公开(公告)号：CN115652258A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211438775.8

申请日：2022-11-17

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 乔梁 ,  阮跃 ,  冷华倩 ,  丁翔 ,  赵燕

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了一种具有良好电输运性能的非晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将氧化镧和氧化钛前驱体粉末均匀混合后研磨，并用压片机压靶，在马弗炉中高温烧结后得到LaTiO3靶材；(2)清洗并刻蚀SrTiO3基片；(3)将LaTiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统，在合适的条件下生长LaTiO3非晶薄膜；(4)在室温、真空环境下生长了不同厚度的非晶LaTiO3薄膜。本发明通过曲线可以看出薄膜表现出金属性，具有良好的电输运性。