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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112491379B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202011132535.6
申请日：2020-10-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域，具体提供一种具有声子晶体反射器的声表面波谐振器，用以著提高谐振器的品质因数。本发明包括：基底1，设置于基底上的压电层2，设置于压电层2上的输入电极3、输出电极4、地电极6，以及声子晶体反射器5；输入电极3与输出电极4共同构成叉指换能器，声子晶体反射器5由对称设置于叉指换能器两侧的两个声子晶体阵列构成，地电极6围绕叉指换能器及声子晶体反射器的设置。本发明采用声子晶体反射器以取代传统的电极反射器，能够有效提升谐振器品质因数；同时，与传统的电极反射器设计相比，声子晶体反射器具有较宽的声学带隙，能够抑制整个带隙频率范围内的声波传播，从而对声能损耗的抑制更有效。
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公开(公告)号：CN113452339A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110552192.7
申请日：2021-05-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明属于体声波谐振器技术领域，针对压电薄膜体声波谐振器的杂散模态抑制问题，具体提出一种压电薄膜体声波谐振器。本发明通过在传统压电薄膜体声波谐振器的电极末端增加方形金属块，并在方形金属块上镀密度更大的金属构成多层金属块结构作为杂散抑制结构，有效抑制杂散模态的产生；并且多层金属块结构通过改变该区域内压电薄膜内部的声波传播速度，使得金属块所在区域与电极区域的压电薄膜具有不同的声波传播速度，形成声学反射区域，将电极末端区域泄露的能量反射回收，最大效率地激发主模能量，并减小损耗提升Q值；综上，本发明能够在不影响谐振器机电耦合系数的前提下有效抑制谐振器的杂散模态，提升谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN113437947B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110760104.2
申请日：2021-07-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域，涉及横向激励薄膜体声波谐振器，具体提供一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，用以解决现有横向激励薄膜体声波谐振器在悬梁系绳处的侧边能量泄漏问题。本发明在Freestanding型结构或SMR布拉格反射结构的宽带活塞模式谐振器的基础上，在叉值换能器的电极指条与宽带活塞结构之间引入声子晶体作为侧边能量辐射抑制结构，并匹配设计声子晶体的具体单元结构：贯穿压电薄膜的“十”字型孔或设置于压电薄膜上的圆形金属柱，从而将声波能量约束在叉指电极对谐振腔内，即解决侧边能量泄漏问题，显著提升带内品质因数，使得本发明谐振器尤其适用于做成5G频段(N77、N78、N79等高频大带宽频段)高品质因数滤波器。
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公开(公告)号：CN113437947A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110760104.2
申请日：2021-07-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域，涉及横向激励薄膜体声波谐振器，具体提供一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，用以解决现有横向激励薄膜体声波谐振器在悬梁系绳处的侧边能量泄漏问题。本发明在Freestanding型结构或SMR布拉格反射结构的宽带活塞模式谐振器的基础上，在叉值换能器的电极指条与宽带活塞结构之间引入声子晶体作为侧边能量辐射抑制结构，并匹配设计声子晶体的具体单元结构：贯穿压电薄膜的“十”字型孔或设置于压电薄膜上的圆形金属柱，从而将声波能量约束在叉指电极对谐振腔内，即解决侧边能量泄漏问题，显著提升带内品质因数，使得本发明谐振器尤其适用于做成5G频段(N77、N78、N79等高频大带宽频段)高品质因数滤波器。
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公开(公告)号：CN112491379A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011132535.6
申请日：2020-10-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域，具体提供一种具有声子晶体反射器的声表面波谐振器，用以著提高谐振器的品质因数。本发明包括：基底1，设置于基底上的压电层2，设置于压电层2上的输入电极3、输出电极4、地电极6，以及声子晶体反射器5；输入电极3与输出电极4共同构成叉指换能器，声子晶体反射器5由对称设置于叉指换能器两侧的两个声子晶体阵列构成，地电极6围绕叉指换能器及声子晶体反射器的设置。本发明采用声子晶体反射器以取代传统的电极反射器，能够有效提升谐振器品质因数；同时，与传统的电极反射器设计相比，声子晶体反射器具有较宽的声学带隙，能够抑制整个带隙频率范围内的声波传播，从而对声能损耗的抑制更有效。
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