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公开(公告)号：CN114855229B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202210347081.7
申请日：2022-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电子电路盲孔通孔共镀的电镀液及配方，属于电子电路电镀技术领域，涉及电路板、IC封装基板或陶瓷通孔及玻璃通孔(TGV)互连技术领域。提供了一种电子电路盲孔通孔共镀的整平剂及电镀液配方，能够在同一镀液中实现对盲孔的高填充率和对通孔的高抛射率，且电镀能耗低，孔口平整，孔内无空洞。所述电镀铜浴配方中均镀剂为5‑巯基‑4‑对甲苯基‑4氢‑3‑羟基‑1,2,4‑三唑化合物与1‑(4‑羟基苯基)‑5‑巯基‑四氮唑化合物的混合物等，该均镀剂在硫酸铜作为主盐镀液并加入抑制剂及加速剂条件下通过搅拌措施搭配合理的电镀工艺可获得较好的填孔效果的同时获得较好的通孔均镀能力，且槽电压和能耗较低，节能降耗，起到了节约成本提高电镀效率的作用。
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公开(公告)号：CN114133928A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111516201.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: C09K11/77 , C01F17/235 , C01F17/10 , C03C4/04 , C03C10/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于光敏微晶玻璃的掺杂氧化铈光敏剂及其制备方法与应用，该掺杂氧化铈光敏由通式Ce1‑xWxO2表示，通式中，x取值为：x＝0.05～0.25。其以硝酸铈、偏钨酸铵水合物以及有机燃料为原料，采用溶胶‑凝胶自蔓延燃烧法制备而得。本发明提供的掺杂氧化铈光敏剂，对现有光敏剂CeO2进行W离子掺杂，改善其光吸收性能使其吸收峰移动，以使其吸收峰与现有光源匹配，从而提高了光敏微晶玻璃的成核效率与曝光质量。
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公开(公告)号：CN102122666A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110007009.1
申请日：2011-01-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/51
Abstract: 使用高介电常数栅介质的耐压器件，涉及半导体功率器件。本发明包括衬底，外延区，源极注入区，沟道注入区，漏极注入区，漂移区，栅极，P+注入区，源极，漏极，源极注入区，沟道注入区，漏极注入区，漂移区，P+注入区构成第一层，还包括由高介电常数介质层和SiO2缓冲层构成的复合介质层，栅极、漏极和源极位于复合介质层的上方，漏极和源极各自通过复合介质层的小孔连接至复合介质层下方的注入区，SiO2缓冲层均匀覆盖于第一层上方，厚度均匀的高介电常数介质层位于SiO2缓冲层上方。本发明在器件方面能同时提高器件的栅极和源漏或阴阳极耐压，降低比导通电阻；在应用上可允许使用更高的电压进行栅驱动，降低耐压器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN114133928B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111516201.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: C09K11/77 , C01F17/235 , C01F17/10 , C03C4/04 , C03C10/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于光敏微晶玻璃的掺杂氧化铈光敏剂及其制备方法与应用，该掺杂氧化铈光敏由通式Ce1‑xWxO2表示，通式中，x取值为：x＝0.05～0.25。其以硝酸铈、偏钨酸铵水合物以及有机燃料为原料，采用溶胶‑凝胶自蔓延燃烧法制备而得。本发明提供的掺杂氧化铈光敏剂，对现有光敏剂CeO2进行W离子掺杂，改善其光吸收性能使其吸收峰移动，以使其吸收峰与现有光源匹配，从而提高了光敏微晶玻璃的成核效率与曝光质量。
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公开(公告)号：CN105272339B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510672800.2
申请日：2015-10-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝通孔陶瓷的制备方法，以氧化铝粉、有机单体、交联剂、分散剂、铝粉以及烧结助剂为原料，加入一定量氨水调节pH值为8.0～9.0的水中，经球磨制得浆料，再向所述浆料中加入引发剂，经成型、干燥、排胶以及烧结过程，制得氧化铝通孔陶瓷阀。本发明提供的氧化铝通孔陶瓷阀的制备方法可制备外形复杂的氧化铝通孔陶瓷阀，且所制备的氧化铝通孔陶瓷阀具有高气孔率、高抗弯强度且通孔分布均匀等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104016675B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410280282.5
申请日：2014-06-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01C7/02 , C04B35/468 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供一种无铅高Tc低室温电阻率的BaTiO3基PTC陶瓷粉料、片式热敏电阻及其制备方法。BaTiO3基PTC陶瓷粉料，其组成成分的摩尔份数包括：BT：80～100份；BNT+BKT：0～20份；MnO2：0.11～0.14份；AST：3～5份，所述AST由Al2O3、SiO2和TiO2组成。本发明采用BNT和BKT作为Tc迁移剂固溶在BT基PTC热敏电阻陶瓷中来提高Tc，同时采用流延工艺制备多层片式结构的电阻器件来降低室温电阻率，使其具备实用价值。本发明的PTC片式热敏电阻的室温电阻率在50Ω.cm以下，升阻比大于103，Tc大于120℃，制备方法和工艺过程简单易控，便于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN105272339A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510672800.2
申请日：2015-10-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝通孔陶瓷的制备方法，以氧化铝粉、有机单体、交联剂、分散剂、铝粉以及烧结助剂为原料，加入一定量氨水调节pH值为8.0～9.0的水中，经球磨制得浆料，再向所述浆料中加入引发剂，经成型、干燥、排胶以及烧结过程，制得氧化铝通孔陶瓷阀。本发明提供的氧化铝通孔陶瓷阀的制备方法可制备外形复杂的氧化铝通孔陶瓷阀，且所制备的氧化铝通孔陶瓷阀具有高气孔率、高抗弯强度且通孔分布均匀等优点。
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公开(公告)号：CN104016675A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410280282.5
申请日：2014-06-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种无铅高Tc低室温电阻率的BaTiO3基PTC陶瓷粉料、片式热敏电阻及其制备方法。BaTiO3基PTC陶瓷粉料，其组成成分的摩尔份数包括：BT：80～100份；BNT+BKT：0～20份；MnO2：0.11～0.14份；AST：3～5份，所述AST由Al2O3、SiO2和TiO2组成。本发明采用BNT和BKT作为Tc迁移剂固溶在BT基PTC热敏电阻陶瓷中来提高Tc，同时采用流延工艺制备多层片式结构的电阻器件来降低室温电阻率，使其具备实用价值。本发明的PTC片式热敏电阻的室温电阻率在50Ω.cm以下，升阻比大于103，Tc大于120℃，制备方法和工艺过程简单易控，便于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN114855229A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210347081.7
申请日：2022-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电子电路盲孔通孔共镀的电镀液及配方，属于电子电路电镀技术领域，涉及电路板、IC封装基板或陶瓷通孔及玻璃通孔(TGV)互连技术领域。提供了一种电子电路盲孔通孔共镀的整平剂及电镀液配方，能够在同一镀液中实现对盲孔的高填充率和对通孔的高抛射率，且电镀能耗低，孔口平整，孔内无空洞。所述电镀铜浴配方中均镀剂为5‑巯基‑4‑对甲苯基‑4氢‑3‑羟基‑1,2,4‑三唑化合物与1‑(4‑羟基苯基)‑5‑巯基‑四氮唑化合物的混合物等，该均镀剂在硫酸铜作为主盐镀液并加入抑制剂及加速剂条件下通过搅拌措施搭配合理的电镀工艺可获得较好的填孔效果的同时获得较好的通孔均镀能力，且槽电压和能耗较低，节能降耗，起到了节约成本提高电镀效率的作用。
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公开(公告)号：CN102122666B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110007009.1
申请日：2011-01-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/51
Abstract: 使用高介电常数栅介质的耐压器件，涉及半导体功率器件。本发明包括衬底，外延区，源极注入区，沟道注入区，漏极注入区，漂移区，栅极，P+注入区，源极，漏极，源极注入区，沟道注入区，漏极注入区，漂移区，P+注入区构成第一层，还包括由高介电常数介质层和SiO2缓冲层构成的复合介质层，栅极、漏极和源极位于复合介质层的上方，漏极和源极各自通过复合介质层的小孔连接至复合介质层下方的注入区，SiO2缓冲层均匀覆盖于第一层上方，厚度均匀的高介电常数介质层位于SiO2缓冲层上方。本发明在器件方面能同时提高器件的栅极和源漏或阴阳极耐压，降低比导通电阻；在应用上可允许使用更高的电压进行栅驱动，降低耐压器件的导通电阻。
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