公开(公告)号：CN115656297A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211309205.9

申请日：2022-10-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 徐洁 ,  黄伟 ,  解淼 ,  程玉华

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种基于复合半导体沟道的EGT及其制备方法，主要包括衬底、源极、复合半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极；在制备过程中，采用垂直结构的方式先制备衬底，并对衬底进行清洗并干燥；接着依次在衬底上制备源极，在源极上制备复合半导体层，在多孔半导体层上制备漏极，在衬底上制备封装层，并暴露出位于漏极与源极重叠部分，在漏极上方制备电解质层，最后制备与电解质层相连的栅极。

公开(公告)号：CN120051092A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510233401.X

申请日：2025-02-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄伟 ,  解淼 ,  李梦晓

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/30 ,  H10K71/12 ,  H10K71/20 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种具有高循环稳定性的有机电化学晶体管及其制备方法，主要包括衬底、源极、交联剂掺杂半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极；在制备过程中，采用垂直结构的方式，先制备、清洗并干燥衬底；接着依次在衬底上制备源极，在源极上制备交联剂掺杂半导体层，在交联剂掺杂半导体层上制备漏极，在漏极上制备封装层，并暴露出漏极与源极垂直堆叠部分的全部区域及交联剂掺杂半导体层区域，在封装层上方制备电解质层，最后制备与电解质层相连的栅极。本发明方法通过在有机复合离子‑电子半导体中同时引入与其均相混合和异质混合的复合交联剂，通过光交联固化，既促进了离子在半导体中的有效掺杂，也保证了器件的长期稳定运行。

公开(公告)号：CN115656298A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211309449.7

申请日：2022-10-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄伟 ,  吴儒桦 ,  解淼 ,  程玉华

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种基于OECT的人工神经突触及其制备方法，主要包括衬底、源极、半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极；在制备过程中，采用垂直结构的方式先制备衬底，并对衬底进行清洗并干燥；接着依次在衬底上制备源极，在源极上制备半导体层，在半导体层上制备漏极，在衬底上制备封装层，并暴露出位于源极和漏极间的半导体层，在半导体层上方制备电解质层，最后制备与电介质层相连的栅极。