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公开(公告)号：CN115656298A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211309449.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于OECT的人工神经突触及其制备方法，主要包括衬底、源极、半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极；在制备过程中，采用垂直结构的方式先制备衬底，并对衬底进行清洗并干燥；接着依次在衬底上制备源极，在源极上制备半导体层，在半导体层上制备漏极，在衬底上制备封装层，并暴露出位于源极和漏极间的半导体层，在半导体层上方制备电解质层，最后制备与电介质层相连的栅极。
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