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公开(公告)号：CN117704784A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311729880.1
申请日：2023-12-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及非晶态材料制备技术领域，具体涉及一种用于制备非晶态材料的高通量马弗炉及制备方法。本发明包括炉体和控制单元；所述炉体包括外壳、保温层、调温单元和坩埚架；坩埚架包括坩埚和载物台，坩埚固定在载物台上，通过隔温板将坩埚间隔开；所述保温板下端设有低温单元，低温单元包括物料格和冷却循环管道，物料格将低温单元间隔开并分成多个小格，小格与保留通孔配合，物料格下端设置冷却循环管道为物料格进行降温，还包括用于制备非晶态材料的高通量制备方法；本发明实现了对非晶态材料的高通量制备的同时，提高了制备的安全性、高效性和可控性，有利于工业生产中广泛应用。
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公开(公告)号：CN118222994A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410653239.2
申请日：2024-05-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁控溅射技术领域，具体涉及一种自清洁的高通量磁控溅射设备及操作方法。本发明通过在门体上设置基片模块，辅以同样设置在门体上适配的清洁模块，清洁模块通过气流控制对腔体内和基片模块及其周围区域的纳米金属颗粒进行清洁处理和收集；并进一步的提供了冷板使得溅射时的纳米金属颗粒不会对基片模块区域形成强附着，以利于后期的清洁。本发明不仅防止了环境污染，还保护了操作人员健康，同时简化了镀膜腔体内的结构，便于对基片进行换片和对基片夹具进行维修；在设备操作安全性和设备清洁便捷性上都有明显提高，有利于广泛使用。
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公开(公告)号：CN118222994B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410653239.2
申请日：2024-05-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁控溅射技术领域，具体涉及一种自清洁的高通量磁控溅射设备及操作方法。本发明通过在门体上设置基片模块，辅以同样设置在门体上适配的清洁模块，清洁模块通过气流控制对腔体内和基片模块及其周围区域的纳米金属颗粒进行清洁处理和收集；并进一步的提供了冷板使得溅射时的纳米金属颗粒不会对基片模块区域形成强附着，以利于后期的清洁。本发明不仅防止了环境污染，还保护了操作人员健康，同时简化了镀膜腔体内的结构，便于对基片进行换片和对基片夹具进行维修；在设备操作安全性和设备清洁便捷性上都有明显提高，有利于广泛使用。
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