公开(公告)号：CN116234284A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310228471.7

申请日：2023-03-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张丽 ,  段锋 ,  李维佳 ,  韩天成 ,  陈海燕 ,  周佩珩 ,  陆海鹏 ,  慎戈斐 ,  宋煜杨 ,  邓龙江

IPC: H05K9/00 ,  H01F1/147 ,  H04B15/00

Abstract: 本发明属于磁性功能材料与元器件领域，涉及高频抗电磁干扰技术，具体为一种集成式薄膜噪声抑制器。本发明将磁性薄膜分层，通过绝缘层的隔离，在传输线上集成多层软磁薄膜，通过软磁薄膜的磁损耗实现对噪声的抑制，能够在0‑6GHz频率范围内，形成单频点或多频点的集成式薄膜噪声抑制器。并提供了根据实际需要调整磁性膜材料种类或磁性膜厚度，进一步满足宽频电磁噪声抑制的优选方案。本发明结构和工艺简单，兼具了可集成、高性能、宽频带和高适用性的优点。