公开(公告)号：CN117073516A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311059999.2

申请日：2023-08-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 涂程 ,  陈锐 ,  唐文杰 ,  欧阳旭恒 ,  张晓升

IPC: G01B7/16

Abstract: 本发明属于微机电技术领域，具体涉及一种具有低温度漂移特性的TPoS应变传感器。包括硅基底、集成在硅基底上的音叉式TPoS谐振，所述音叉式TPoS谐振器包括音叉式TPoS谐振器主体和金属电极盘；音叉式TPoS谐振器主体的下表面设有温度补偿层，温度补偿层由正温度系数材料制成。与现有技术相比，本发明将将音叉式TPoS谐振器作为应变传感器的核心结构，实现应变的变化量检测，通过采用音叉式TPoS谐振器作为应变传感器的核心结构，并通过设置的温度补偿层，抵消传感器硅层材料在温度变化时其杨氏模量变化带来的频率偏移效应，从而实现了低温度漂移特性。

公开(公告)号：CN117200733A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311069254.4

申请日：2023-08-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 涂程 ,  李磊 ,  欧阳旭恒 ,  张晓升

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/125

Abstract: 本发明属于微机电技术领域，具体为一种具有高轴向力灵敏度的压电式三音叉微机电谐振器。包括SOI基底、和集成在SOI基底上的三音叉谐振器；所述三音叉谐振器包括三音叉谐振器主体、金属电极；三根谐振梁和两个耦合梁；三根谐振梁平行连接于两个耦合梁之间，分别为第一激励梁、第二激励梁和传感梁；三根谐振梁结构相同，均有源部分和无源部分组成，通过减小无源部分宽度，配合谐振梁中激励梁的宽度为传感梁宽度的一半，使三音叉谐振器能够在不牺牲输出电流的前提下，提高其轴向力灵敏度以及非线性振动阈值电压，从而能够承受更高的输入电压，实现应用于MEMS谐振式传感器的高性能核心敏感单元的目的。

公开(公告)号：CN117129038A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311105717.8

申请日：2023-08-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 涂程 ,  潘艺鸣 ,  欧阳旭恒 ,  张晓升

IPC: G01D21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于AlN‑on‑Si谐振器的加速度磁场复合式传感器，属于微机电领域。本发明的复合式传感器包括硅衬底，硅连接梁，金属导线回路、硅质量块和三音叉谐振器；硅质量块同三音叉谐振器直接连接，基于三音叉谐振器的谐振频率受面外力影响的特性，感应加速度的变化；硅质量块还能通过改变谐振器等效刚度的方式以提高磁场传感器的灵敏度；通过控制金属导线回路内电流的通断，可以实现硅质量块的惯性力传感和通过金属导线回路中的激励电流与外部磁场作用产生洛伦兹力的传感，从而分别测定传感器所处环境的加速度和磁场强度，实现单一传感器的多物理量复合传感。

公开(公告)号：CN116087840A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310175843.4

申请日：2023-02-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 涂程 ,  欧阳旭恒 ,  张晓升

IPC: G01R33/06 ,  H03H9/21 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明属于微机电技术领域，具体为一种基于音叉式TPoS谐振器的磁场传感器。包括硅衬底，以及集成在硅衬底上的音叉式TPoS谐振器的磁场传感器；所述音叉式TPoS谐振器的磁场传感器包括金属螺旋线圈、第一频率变化单元和第二频率变化单元；第一频率变化单元包括微杠杆和三音叉式TPoS谐振器，微杠杆的一端连接金属螺旋线圈，另一端连接三音叉式TPoS谐振器；第二频率变化单元与第一频率变化单元结构尺寸完全相同，且与第一频率变化单元关于金属螺旋线圈呈中心对称。与传统的电容式谐振器相比，本发明通过设置在两个频率变化单元的音叉式TPoS谐振器，降低在封装和外部信号处理电路设计的复杂度，实现更低的制备成本。