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公开(公告)号：CN116469759A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310150818.0
申请日：2023-02-22
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/308 , B24B29/02 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 一种利用氟基等离子体预处理氧化镓的化学机械抛光法，采用常压的氟基等离子体对氧化镓表面进行预处理，形成氟化镓保护层；对带有氟化镓保护层的氧化镓表面进行时间可控的化学机械抛光；与现有技术相比，本发明可避免氧化镓表面产生腐蚀坑，增大粗糙度，同时防止镓‑氧键直接受到机械应力，避免了氧化镓发生解理。
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公开(公告)号：CN119653784A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411768952.8
申请日：2024-12-04
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化物底电极的铝钪氮铁电电容存储器及其制备方法，通过在富氮环境下生长金属氮化物电极作为铝钪氮铁电层的底电极实现对铝钪氮铁电电容存储器的性能调控，具体是在富氮环境下，在基底上沉积生长氮化物底电极，随后在氮化物底电极上沉积AlScN铁电层，在AlScN铁电层上沉积金属顶电极，并加工金属顶电极图形。本发明采用了富氮环境生长氮化物底电极工艺，能够改善AlScN铁电电容的漏电情况，解决AlScN薄膜掺Sc出现的氮空位问题；并提升AlScN薄膜的结晶质量，解决AlScN自身Al和Sc元素极易被氧化的问题；以及低Sc掺杂AlScN基铁电电容自身矫顽电场大，较低的击穿电场与矫顽场比值EBD/EC以及漏电大的问题。
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公开(公告)号：CN116435189A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310151217.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/463 , B24B29/02 , B24B7/22 , H01L21/428 , H01L21/465
Abstract: 基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法，将待抛光的氧化镓衬底固定于透光背膜上进行化学机械抛光，在所述化学机械抛光的过程中，利用波长λ
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公开(公告)号：CN104463897B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201410843241.2
申请日：2014-12-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种高光谱目标探测的方法，其特征在于，所述方法包括：获取已知的目标光谱信号；基于盲源提取方法获取疑似信号；将目标光谱信号与疑似信号进行相关性的比较处理，获得相关性值；在相关性值大于或等于预设相关性值时，确定所述疑似信号为目标像元。其中，由于采用盲源提取方法获取疑似信号时，利用周围像素点作为混合信号，这样即便有虚警目标出现，其虚警目标像元聚集在目标像元周围，这样可以更加精确的确定目标的范围，解决了现有技术中存在对高光谱图像探测效果差的技术问题，进而实现了使得高光谱图像探测效果得到改善的技术效果。
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公开(公告)号：CN104463897A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410843241.2
申请日：2014-12-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种高光谱目标探测的方法，其特征在于，所述方法包括：获取已知的目标光谱信号；基于盲源提取方法获取疑似信号；将目标光谱信号与疑似信号进行相关性的比较处理，获得相关性值；在相关性值大于或等于预设相关性值时，确定所述疑似信号为目标像元。其中，由于采用盲源提取方法获取疑似信号时，利用周围像素点作为混合信号，这样即便有虚警目标出现，其虚警目标像元聚集在目标像元周围，这样可以更加精确的确定目标的范围，解决了现有技术中存在对高光谱图像探测效果差的技术问题，进而实现了使得高光谱图像探测效果得到改善的技术效果。
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