-
公开(公告)号：CN113148986A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110274648.8
申请日：2021-03-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194
Abstract: 一种高导热自支撑垂直取向石墨烯薄膜的制备方法，包括：1)制备氧化石墨烯分散液；2)将长链烃基磺酸、改性单壁碳纳米管、非离子表面活性剂加入氧化石墨烯分散液中，搅拌，超声；3)在外加磁场的作用下，以上述混合液作为电沉积液，采用电化学沉积法沉积氧化石墨烯；4)冰冻、冷冻干燥，腐蚀掉基体，石墨化处理，得到垂直取向的石墨烯膜；5)压膜。本发明得到的垂直取向的石墨烯膜层可有效地加速纵向导热，具有优异的导热性；通过在电化学沉积液中添加长链烃基磺酸，有效降低了氧化石墨烯的表面能，使石墨烯能垂直排列，同时，薄膜沉积厚度可控，导热性显著提升，易于实现规模化生产。
Search Results
1
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
