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公开(公告)号：CN106222621B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610708664.2
申请日：2016-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射装置，包括磁力发生机构、至少一靶材区与可旋转基底，所述靶材区固定至少一靶材，靶材中心与靶材区中心重合或靶材中心到其所在靶材区中心距离相同，该磁力发生机构平行于靶材设置，基底相对于靶材设置，所述磁力发生机构产生磁力线，磁力线映射到靶材表面，使靶材表面形成有环形均匀分布的多个刻蚀区；本发明还涉及一种磁控溅射方法，包括如下步骤：提供靶材，并在靶材表面形成环形均匀分布的多个刻蚀区；提供可旋转基底，该基底相对于靶材设置，以使基底旋转时经过靶材表面形成的每一条刻蚀区。
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公开(公告)号：CN106222621A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610708664.2
申请日：2016-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射装置，包括磁力发生机构、至少一靶材与可旋转基底，该磁力发生机构平行于靶材设置，基底相对于靶材设置，所述磁力发生机构产生磁力线，磁力线映射到靶材表面，使靶材表面形成有环形均匀分布的多个刻蚀区；本发明还涉及一种磁控溅射方法，包括如下步骤：提供靶材，并在靶材表面形成环形均匀分布的多个刻蚀区；提供可旋转基底，该基底相对于靶材设置，以使基底旋转时经过靶材表面形成的每一条刻蚀区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106222615B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610711985.8
申请日：2016-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明涉及一种高通量组合材料芯片制备装置，其包括制备腔、伸入制备腔内原料输出装置、容置于制备腔内的蒸发模组，多个分立掩模以及一连续掩模；原料输出装置设置在蒸发模组及分立掩模/连续掩模之间；原料输出装置用于在所述原料输出装置内的气压与所述制备腔内气压相同时，向所述蒸发模组定量供应原料；所述蒸发模组用于蒸发原料输出装置供应的原料形成蒸气，所述蒸气通过所述分立掩模和/或连续掩模在一基片上沉积形成高通量组合材料芯片。本发明还涉及采用如上所述制备装置的高通量组合材料芯片制备方法，及采用该制备方法制备的高通量组合材料芯片。高通量组合材料芯片制备装置可不破坏工作气压，对蒸发模组补充原料，可提高芯片制备效率。
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公开(公告)号：CN107142457A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710256926.0
申请日：2017-04-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/225
Abstract: 本发明涉及真空镀膜技术领域，具体为一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置，包括溅射腔、腔门、手套箱和过渡腔。本发明通过多个可独立调节的伸缩支架，实现待渡基片的角度连续变化。再运用手套箱的配置，通过溅射腔、手套箱和过渡腔的两两连接，使得在更换基片和靶材的过程中，磁控溅射装置的工作气氛保持稳定，不破坏溅射腔的真空度，避免了再次抽真空操作，提高了工作效率。本发明装置能完成水平状态和连续倾斜角度的磁控溅射镀膜；不破坏真空条件下的待镀基片更换，实现效率的提升；待镀基片可加热，增加了实验可变参数；外接设备手套箱，实现惰性气体条件下的靶材更换。
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公开(公告)号：CN106222615A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610711985.8
申请日：2016-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/30
CPC classification number: C23C14/30
Abstract: 本发明涉及一种高通量组合材料芯片制备装置，其包括制备腔、伸入制备腔内原料输出装置、容置于制备腔内的蒸发模组，多个分立掩模以及一连续掩模；原料输出装置设置在蒸发模组及分立掩模/连续掩模之间；原料输出装置用于在所述原料输出装置内的气压与所述制备腔内气压相同时，向所述蒸发模组定量供应原料；所述蒸发模组用于蒸发原料输出装置供应的原料形成蒸气，所述蒸气通过所述分立掩模和/或连续掩模在一基片上沉积形成高通量组合材料芯片。本发明还涉及采用如上所述制备装置的高通量组合材料芯片制备方法，及采用该制备方法制备的高通量组合材料芯片。高通量组合材料芯片制备装置可不破坏工作气压，对蒸发模组补充原料，可提高芯片制备效率。
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公开(公告)号：CN105839065A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610365340.3
申请日：2016-05-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3407
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射镀膜装置，包括同轴设置的圆筒状的磁钢装置、圆筒状的溅射阴极和圆筒状的靶材，圆筒状靶材设置在圆筒状溅射阴极内表面，磁钢装置设置在圆筒状溅射阴极外表面以在靶材内表面形成了一封闭磁场。本发明还提供一种磁控溅射镀膜方法，磁控溅射镀膜方法包括步骤：在圆筒状靶材内表面提供一封闭磁场；提供一在靶材径向方向上具有分量的电场；将基底放置在靶材轴心处进行镀膜。本发明还提供一种纳米颗粒的制备方法，其包括步骤：提供一圆筒状的靶材；在靶材内表面提供一封闭磁场；提供一在靶材径向方向上具有分量的电场；在圆筒状靶材一端设置一分散液装置；靶材在电场和磁场的作用下发生溅射所产生的纳米颗粒落入分散液装置中。
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公开(公告)号：CN105839065B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610365340.3
申请日：2016-05-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射镀膜装置，包括同轴设置的圆筒状的磁钢装置、圆筒状的溅射阴极和圆筒状的靶材，圆筒状靶材设置在圆筒状溅射阴极内表面，磁钢装置设置在圆筒状溅射阴极外表面以在靶材内表面形成了一封闭磁场。本发明还提供一种磁控溅射镀膜方法，磁控溅射镀膜方法包括步骤：在圆筒状靶材内表面提供一封闭磁场；提供一在靶材径向方向上具有分量的电场；将基底放置在靶材轴心处进行镀膜。本发明还提供一种纳米颗粒的制备方法，其包括步骤：提供一圆筒状的靶材；在靶材内表面提供一封闭磁场；提供一在靶材径向方向上具有分量的电场；在圆筒状靶材一端设置一分散液装置；靶材在电场和磁场的作用下发生溅射所产生的纳米颗粒落入分散液装置中。
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