一种模数转换电路
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103166641B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201310099734.5

    申请日:2013-03-26

    CPC classification number: G11C27/02 G11C13/0007 H03M1/365

    Abstract: 本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及一种基于阻变器件的模数转换电路。本发明所述的一种模数转换电路,包括阻态控制电路、状态存储电路和参考电压产生电路,所述状态存储电路分别与阻态控制电路和参考电压产生电路连接,其核心为状态存储电路由阻变器件构成,能够根据阻态控制电路传输的信号实现快速置位与复位。本发明的有益效果为,大大减小了功耗和电路实现面积,降低了电路成本,同时还具有模数转换和非挥发存储的特性。本发明尤其适用于高速低功耗模数转换。

    一种对PVT补偿的宽带低噪声放大器

    公开(公告)号:CN102412790B

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201110423261.0

    申请日:2011-12-16

    Abstract: 一种对工艺、温度和电源电压变化(简称PVT)补偿的宽带低噪声放大器,属于射频集成电路技术领域,具体涉及一种采用两级放大的低噪声放大器和PVT补偿电路,该电路包括主放大器模块和PVT检测模块。该低噪声放大器一方面可以使增益在很大范围内变化,同时采用的PVT检测模块可以有效对PVT进行补偿,得到稳定的电路增益和优异的输入匹配性能,增加的PVT检测模块对整个电路的噪声具有很小的影响。本发明主要目的为实现一种增益可调节的宽带低噪声放大器,同时对PVT进行补偿,提高电路的稳定性,适用于无线宽带通讯系统中。

    一种基于切比雪夫映射的身份认证方法

    公开(公告)号:CN120074963A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510544052.3

    申请日:2025-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于切比雪夫映射的身份认证方法,该方法首先根据硬件参数和配置信息生成所需的系统参数和密钥参数,在安全信道中获得认证参数,包括终端设备登陆验证参数和认证中心验证参数;认证参数由系统参数和密钥参数对设备的身份参数计算得到。其次终端设备进行自认证检查,利用切比雪夫映射的半群性质,终端设备向认证中心发起身份认证,最后双方对接收到的会话随机数进行验证,通过后生成协商密钥。最后终端设备和认证中心利用密钥进行安全的数据通信,使用对称加解密的算法对数据进行加密传输。本发明保证了身份信息的安全性,减少通信次数优化通信开销,生成密钥的速度更快,所需的计算资源更小。

    一种用于通信电子器件功能展示设备

    公开(公告)号:CN114098374A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111351154.1

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 本发明提供了一种用于通信电子器件功能展示设备,涉及展示设备技术领域,包括:便携组件;所述开关盖板转动连接在器件箱的顶部,展示架能够隐藏在器件箱的内部,从而增强了该装置对展示架及其内部显示屏的保护效果,经久耐用,且控制机构能够控制展示机构的使用状态,使得展示机构的展开使用和收缩隐藏更为方便灵活,器件箱的内部能够开设储物腔存放各类电子器件,从而实现该装置能够同时展示和存放电子器件的功能,解决了现有展示设备对显示屏的保护效果差,显示屏很容易因为外力撞击损坏,且展示设备内部没有储物空间,导致在推销展示时不仅要携带展示设备,还需要通过其他的物件对电子器件进行转运储存的问题。

    一种低噪声可变增益混频器

    公开(公告)号:CN102832885A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210328545.6

    申请日:2012-09-07

    Abstract: 本发明为一种低噪声可变增益混频器,涉及射频通信集成电路技术,本发明主要由低噪声跨导输入级电路、电流分裂级电路、可变负载级电路、增益切换级电路、频率转换级电路组成。通过开关控制电流镜是否为跨导输入级和电流分裂级提供电流的方法实现混频器在高增益模式与低增益模式两种工作方式下切换,并且混频器工作在低增益模式时可以节省功耗。本混频器电路在其工作带宽内实现了低噪声特性,同时实现了可变增益,工作带宽为0.7~2.85GHz,涵盖了915MHz、1.8GHz、2.45GHz等重要频段,适合用于多标准无线通信接收系统中。并且,本发明的可变增益混频器可以用于接收机的第一级电路,也可以理解为低噪声放大器和混频器的合并。

    一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用

    公开(公告)号:CN113044805A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110181359.3

    申请日:2021-02-09

    Abstract: 本发明公开了一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用,涉及周期性纳米复合材料微加工技术领域,包括以下制备步骤:(1)清洗硅片;(2)制备六方密排聚苯乙烯微球阵列结构;(3)制备得到溅射衬底;(4)在溅射衬底表面进行磁控溅射,溅射方向为六方密排聚苯乙烯微球阵列结构的长对称轴方向和短对称轴方向,且与溅射衬底法线方向夹角为65‑75°;本发明通过角度调控掩蔽的方法制备得到了具有特定形状的有序纳米阵列结构,方法简单高效,对溅射材料化学性能无依赖,同时制备得到的有序纳米阵列结构SERS灵敏度高。

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