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公开(公告)号：CN112946968A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110135367.4
申请日：2021-02-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种混合集成的光通信波段片上量子纠缠源，包括激光产生与放大模块和非线性光学模块，非线性光学模块由两段非线性波导通过二次谐波滤波器连接而成，在光通信波段泵浦光作用下，两段非线性波导中先后发生二次谐波产生和自发参量下转换过程，进而实现量子纠缠双光子的产生。连接两段波导的二次谐波滤波器可以有效抑制剩余泵浦光，避免了自发拉曼散射过程在纠缠双光子中引进噪声。片上量子纠缠源所需的所有器件均集成在同一衬底材料上，有效减小了量子纠缠源的体积。本发明提出的混合集成的光通信波段片上量子纠缠源同时兼具高集成度、高亮度和低噪声的特点，可通过先进微纳加工与封装技术实现，有利于量子光源的集成化和实用化发展。
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公开(公告)号：CN112946968B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110135367.4
申请日：2021-02-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种混合集成的光通信波段片上量子纠缠源，包括激光产生与放大模块和非线性光学模块，非线性光学模块由两段非线性波导通过二次谐波滤波器连接而成，在光通信波段泵浦光作用下，两段非线性波导中先后发生二次谐波产生和自发参量下转换过程，进而实现量子纠缠双光子的产生。连接两段波导的二次谐波滤波器可以有效抑制剩余泵浦光，避免了自发拉曼散射过程在纠缠双光子中引进噪声。片上量子纠缠源所需的所有器件均集成在同一衬底材料上，有效减小了量子纠缠源的体积。本发明提出的混合集成的光通信波段片上量子纠缠源同时兼具高集成度、高亮度和低噪声的特点，可通过先进微纳加工与封装技术实现，有利于量子光源的集成化和实用化发展。
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公开(公告)号：CN108425095A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810217612.4
申请日：2018-03-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于材料技术领域，具体提供一种晶体六方氮化硼薄膜的制备方法，本发明采用射频磁控溅射法，通过腔体烘干过程有效排除了腔体内残余的氧杂质，避免了六方氮化硼的易潮解性，使其具备优良的稳定性，XRD衍射图谱和傅里叶红外光谱也显示出高度c轴择优取向特性和优良的结晶性；最终，本发明通过合理优化的衬底清洗过程及薄膜制备时的参数条件制备出高质量c轴择优取向的晶体六方氮化硼薄膜；且生产成本低、生长速率高。
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公开(公告)号：CN108425095B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810217612.4
申请日：2018-03-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于材料技术领域，具体提供一种晶体六方氮化硼薄膜的制备方法，本发明采用射频磁控溅射法，通过腔体烘干过程有效排除了腔体内残余的氧杂质，避免了六方氮化硼的易潮解性，使其具备优良的稳定性，XRD衍射图谱和傅里叶红外光谱也显示出高度c轴择优取向特性和优良的结晶性；最终，本发明通过合理优化的衬底清洗过程及薄膜制备时的参数条件制备出高质量c轴择优取向的晶体六方氮化硼薄膜；且生产成本低、生长速率高。
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