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公开(公告)号：CN113571390A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110698148.7
申请日：2021-06-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极，该光电阴极自下而上由Al2O3衬底层(1)、生长在衬底上的AlN缓冲层(2)、p型超晶格AlGaN/GaN纳米线电子发射层(3)以及Cs/O激活层(4)组成。本发明采用AlGaN/GaN超晶格纳米线，设计了AlGaN与GaN材料以几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性形成多层膜结构，即形成了AlGaN/GaN超晶格，且在表面采用纳米线结构。该具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极能够影响电荷在此结构中的运动，并且能够克服传统薄膜光电阴极在光子吸收和电子输运方面的不足，从而改变量子效率、提高光电子的发射性能以及光电阴极的响应波段，最终提高GaN光电阴极的光电发射量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119085727A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411242058.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于分布式光纤传感和自适应校正的车辆预测方法，该方法通过光纤传感器阵列采集的全时空信息对车辆进行定位，利用车辆运动的连续性和行驶历程校正定位结果，基于车辆短期位置变化建立动态模型，实现车辆信息的精确预测。该方法不需要使用特殊设计的光纤结构或者复杂的光纤铺设方式，适用于路边埋设的通信光缆。本发明具有实施简单、反应迅速、成本较低、覆盖广泛等优势，可以有效推动物联网网络的建设与发展，适用于车辆监测、智能交通、智慧城市等方面，具有重大意义。
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公开(公告)号：CN113707512A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110701308.9
申请日：2021-06-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超晶格结构电子发射层的AlGaN/GaN光电阴极。该超晶格AlGaN/GaN光电阴极的结构包括：由下至上依次设置的衬底(11)、缓冲层(12)、p型超晶格AlGaN/GaN电子发射层(13)、激活层(14)。本发明在传统GaN光电阴极结构基础上，采用p型超晶格AlGaN/GaN结构作为光电阴极的电子发射层，能够促进光电子在发射层中的扩散和在表面的逸出，从而有效解决光电阴极中光电转化率不高的问题，有助于进一步提高AlGaN/GaN光电阴极的量子效率。
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公开(公告)号：CN113451088A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110575267.3
申请日：2021-05-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超晶格纳米线结构GaN光电阴极的制备方法。该制备方法包括：对衬底的选用、生长在衬底上的缓冲层的厚度设计与生长、超晶格纳米线结构GaN电子发射层的设计与生长、以及位于电子发射层上激活层的制备。对于超晶格结构，本发明采用AlGaN/GaN超晶格，AlGaN与GaN材料以几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性形成多层膜结构，即形成了AlGaN/GaN超晶格。完成超晶格GaN电子发射层的生长后，本发明采用反应离子刻蚀和等离子耦合刻蚀的方法来制备超晶格GaN纳米线结构。该具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极能够克服传统薄膜光电阴极在光子吸收和电子运输方面的不足，大大增加电子发射层对光子的吸收率，减少缓冲层对入射光能量的吸收，从而大大提高光电子的发射性能以及光电阴极的响应波段，最终提高GaN光电阴极的光电发射量子效率。
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公开(公告)号：CN115020168A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210484320.3
申请日：2022-04-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种实时控制NEA GaN光电阴极量子效率的方法。具体方法为：步骤1、建立温度校准模型；步骤2、测量GaN光电阴极样品的量子效率QE0、波长λ0和温度T0，根据数据拟合样品参数；步骤3、将工作时的光波长λ、目标量子效率QE及拟合得到的样品参数输入到之前建立的温度校准模型中计算出理论温度T1；步骤4、设定偏离度为S，测量T1温度下的GaN光电阴极量子效率QE1并计算得到偏离度S1，若S1小于设定的偏离度S，输出温度T＝T1，若S1大于设定值，则根据T1，QE1继续拟合样品参数并修正，再次计算得到温度T2，测量T2条件下的量子效率QE2并比较偏离度S2和设定值S；步骤5、循环上述步骤，直至偏离度小于设定值，输出目标量子效率QE对应的最佳温度T。本发明能够通过自动调节温度来实时控制NEA GaN光电阴极的量子效率，具有自校准功能以及灵活可变的特点，提升了NEA GaN光电阴极的工作性能。
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公开(公告)号：CN113451087A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110555671.4
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超晶格结构AlGaN/GaN光电阴极的制备方法。该光电阴极自下而上由衬底层、缓冲层、AlGaN/GaN超晶格发射层、Cs/O激活层组成，所述超晶格发射层采用AlGaN/GaN组成的周期结构，该超晶格大约有6到12个周期。这种结构的制备方法包括：衬底的选择、缓冲层的选择以及缓冲层的生长、电子发射层超晶格结构的设计以及生长、p型掺杂的浓度选择和激活层的生长。采用超晶格结构主要是它能更好的使空穴和电子分离，提高发射层的电子出射率，从而提高AlGaN/GaN光电阴极的量子效率。
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